[发明专利]一种大功率碳化硅二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种大功率碳化硅二极管，其特征在于，包括第一引脚(1)、第二引脚(2)、第一碳化硅芯片(3)、第二碳化硅芯片(4)、绝缘封装体(5)、第一导电塑胶(6)、第二导电塑胶(7)；

所述第一引脚(1)包括第一导电部(11)、第一焊接部(12)、第一弯折部(13)、第一安装部(14)，所述第一碳化硅芯片(3)的阴极与所述第一焊接部(12)焊接，所述第一导电部(11)与所述第一焊接部(12)呈90°结构，所述第一碳化硅芯片(3)与所述第一导电部(11)之间互不接触；

所述第二引脚(2)包括第二导电部(21)、第二焊接部(22)、第二弯折部(23)、第二安装部(24)，所述第二碳化硅芯片(4)的阳极与所述第二焊接部(22)焊接，所述第二导电部(21)与所述第二焊接部(22)呈90°结构，所述第二碳化硅芯片(4)与所述第二导电部(21)之间互不接触；

所述绝缘封装体(5)上下两端分别形成有第一凹槽(51)、第二凹槽(52)，所述第一导电塑胶(6)填充在所述第一凹槽(51)内侧，所述第二导电塑胶(7)填充在所述第二凹槽(52)内侧；

所述第一导电塑胶(6)两端分别与所述第一导电部(11)、第二碳化硅芯片(4)的阴极相抵触；

所述第二导电塑胶(7)两端分别与所述第二导电部(21)、第一碳化硅芯片(3)的阳极相抵触。

2.根据权利要求1所述的一种大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述绝缘封装体(5)外侧还覆盖有一层防水膜(8)。

3.根据权利要求1所述的一种大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述第一焊接部(12)与所述第一弯折部(13)之间所形成的夹角为120°。

4.根据权利要求1所述的一种大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述第二焊接部(22)与所述第二弯折部(23)之间所形成的夹角为45°。

5.一种如权利要求1～4任一项所述大功率碳化硅二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1弯折：准备两个导电片(9)，经过冲压成型后制得第一引脚(1)、第二引脚(2)；

S2焊接：准备第一碳化硅芯片(3)、第二碳化硅芯片(4)，将第一碳化硅芯片(3)的阴极与第一焊接部(12)焊接，将第二碳化硅芯片(4)的阳极与第二焊接部(22)焊接；

S3塑封：将第一引脚(1)、第二引脚(2)、第一碳化硅芯片(3)、第二碳化硅芯片(4)固定，经过上胶、烘烤、塑封、固化后形成绝缘封装体(5)，绝缘封装体(5)上下两端分别形成有第一凹槽(51)、第二凹槽(52)；

S4补胶：在第一凹槽(51)、第二凹槽(52)内侧填充导电胶，经过烘烤、固化后，第一凹槽(51)内侧形成第一导电塑胶(6)，第二凹槽(52)内侧形成第二导电塑胶(7)；

S5涂膜：在绝缘封装体(5)外侧涂覆一层防水油墨，经过固化后形成防水膜(8)。

6.根据权利要求5所述的一种大功率碳化硅二极管的制作方法，其特征在于，所述导电胶包括以下重量份的原料：30～60份环氧树脂、5～8份超导电炭黑。