[发明专利]芯片封装结构、制备方法和电子设备

说明书

本申请公开了一种芯片封装结构、制备方法和电子设备，属于芯片封装技术领域。所述芯片封装结构包括玻璃基板、布线层和至少一个裸芯片；所述玻璃基板的第一表面具有焊点，所述玻璃基板的第二表面具有基板焊球，所述布线层位于所述玻璃基板中，所述焊点和所述基板焊球通过所述布线层电连接；每个裸芯片具有芯片焊球，所述至少一个裸芯片位于所述玻璃基板的第一表面，且所述焊点和所述芯片焊球相接合。采用本申请，能提高裸芯片和玻璃基板之间的连接的可靠性，能降低信号传输损耗。

本申请要求于2021年1月6日提交的申请号为202110010279.1、发明名称为“一种芯片封装结构”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种芯片封装结构、制备方法和电子设备。

背景技术

芯片封装结构是对裸芯片进行封装打包后形成的结构，主要包括裸芯片和玻璃基板，裸芯片位于玻璃基板的表面。

目前大多玻璃基板的热膨胀系数远大于裸芯片的热膨胀系数，导致当芯片封装结构内部的温度较高时，玻璃基板变形较为严重，使得裸芯片和玻璃基板之间的连接处的应力较大，从而导致裸芯片和玻璃基板之间的连接可靠性较低。

发明内容

本申请提供了一种芯片封装结构、制备方法和电子设备，能够克服相关技术中的问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了芯片封装结构，所述芯片封装结构包括玻璃基板、布线层和至少一个裸芯片；

所述玻璃基板的第一表面具有焊点，所述玻璃基板的第二表面具有基板焊球，所述布线层位于所述玻璃基板中，所述焊点和所述基板焊球通过所述布线层电连接；

每个裸芯片具有芯片焊球，所述至少一个裸芯片位于所述玻璃基板的第一表面，且所述焊点和所述芯片焊球相接合。

在一种示例中，该芯片封装结构的基板采用玻璃基板，而玻璃基板的热膨胀系数与裸芯片的热膨胀系数较为接近，这样即使当芯片封装结构内部的温度较高时，玻璃基板的变形和裸芯片的热膨胀变形比较接近，能够减少裸芯片和玻璃基板之间的连接处的应力，从而提高裸芯片3和玻璃基板1之间的连接的可靠性。

另外，玻璃基板的平整度高，翘曲小，也能进一步缓解裸芯片和玻璃基板之间因热膨胀系数不相同而产生的热膨胀的差异，进一步提高裸芯片和玻璃基板之间的连接可靠性。

玻璃基板具有低介电常数和低介电损耗率的特性，使得在玻璃基板中通过的电信号的传输损耗较小。

而且，由于玻璃基板中具有布线层，那么，就可以不在玻璃基板的第一表面或者第二表面做RDL(Redistribution Layer，重新布线)层。进而，裸芯片和主板之间的电信号只需要穿过玻璃基板，那么，裸芯片和主板之间的电信号由于少了在RDL层的通过，也能进一步减少电信号的传输损耗。

在一种可能的实施方式中，所述玻璃基板包括多个玻璃层；

所述布线层的数量为至少一个，每个所述布线层位于相邻的两个所述玻璃层之间。

在一种示例中，为了实现布线层位于玻璃基板中，相应的，布线层可以夹在相邻的两个玻璃层之间。这种先加工制造平整度高的玻璃层，然后在玻璃层表面铺设布线层，这种组装方式得到的内部具有布线层的玻璃基板的平整度较高，翘曲小，也能进一步缓解裸芯片和玻璃基板之间因热膨胀系数不相同而产生的热膨胀的差异，进一步提高裸芯片和玻璃基板之间的连接可靠性。

在一种可能的实施方式中，所述玻璃基板的第一表面具有凹槽；

所述裸芯片的数量为多个，一部分所述裸芯片位于所述凹槽中，另一部分所述裸芯片位于所述凹槽外。