[发明专利]半导体结构及制造多个半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包含：

一第一混合键合结构，其具有一第一表面和一第二表面；

一存储器结构，其接触该第一表面；及

一控制电路结构，其用于控制该存储器结构，并接触该第二表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二表面是较靠近于该控制电路结构的一后段制程结构，并较远离该控制结构的一前段制程结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二表面是较靠近于该控制电路结构的一前段制程结构，并较远离该控制结构的一后段制程结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该存储器结构包含垂直堆叠的多个存储器晶粒，且至少二存储器晶粒是经一第二混合键合结构而混合键合。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述这些存储器晶粒的一顶部存储器晶粒的厚度，是大于设置于该顶部存储器晶粒及该控制电路结构之间的所述这些存储器晶粒其中的一者的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该存储器结构及该控制电路结构是经该第一混合键合结构而垂直键合，该存储器结构具有一第一侧表面，该第一混合键合结构具有一第二侧表面，且该控制电路结构具有一第三侧表面，且该第一侧表面、该第二侧表面及该第三侧表面是实质上于一剖视视角度形成一连续线。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该半导体结构进一步包含一第一穿透通孔，且该控制电路结构进一步包含一第二穿透通孔，且该第一混合键合结构包含：

一第一混合键合部分，其具有多个第一导电通孔及一第一键合垫，其中该第一穿透通孔是耦接于所述这些第一导电通孔的多个第一端，且该第一键合垫是接触于所述这些第一导电通孔的多个第二端；及

一第二混合键合部分，其具有多个第二导电通孔及一第二键合垫，其中该第二键合垫是接触于该第一键合垫，该第二穿透通孔是耦接于所述这些第二导电通孔的多个第一端，且该第二键合垫是接触于所述这些第二导电通孔的多个第二端。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一混合键合部分进一步包含一第三键合垫，且该第二混合键合部分进一步包含一第四键合垫接触于该第三键合垫，其中，该第三键合垫及该第四键合垫是电性断接于该存储器结构以及该控制电路结构。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二穿透通孔是一半穿透通孔，其一端接触于一后段制程金属线。

10.一种系统级封装结构，其包含：

一第一半导体结构，其具有一第一临界尺寸；

一第二半导体结构，其与该第一半导体结构相堆叠，其具有一第二临界尺寸且经一混合键合界面而与该第一半导体结构相接触；及

一基板，其经一第一导电凸块而电性连接于该第一半导体结构及该第二半导体结构；

其中，该第一临界尺寸不同于该第二临界尺寸。

11.如权利要求10所述的系统级封装结构，进一步包含：

一第三半导体结构，其一第二导电凸块而电性连接于该第一半导体结构及该第二半导体结构，其中该第三半导体结构具有一第三临界尺寸小于该第一临界尺寸；及

一中介板，其支撑该第一半导体结构、该第二半导体结构及该第三半导体结构，并与该基板相连接。

12.如权利要求10所述的系统级封装结构，进一步包含一第一键合垫位于该混合键合界面，其在该混合键合界面与一第二键合垫相接触，其中该第一键合垫是电性连接于该第一半导体结构的一第一硅穿透通孔，及该第二键合垫是电性连接于该第二半导体结构的一第二硅穿透通孔。

13.如权利要求10所述的系统级封装结构，其中该第一临界尺寸小于该第二临界尺寸。