[发明专利]一种检测半导体材料中缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110407842.9 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113394126A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 薛忠营;刘赟;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 半导体材料 缺陷 方法 | ||
1.一种检测半导体材料中缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；
对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；
对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HF蚀刻液的浓度为0.1wt％-1wt％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HF蚀刻液的浓度为0.3wt％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗的时间为5min-10min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过HCl气体对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻的温度为700℃-1000℃；刻蚀时间为10s-1000s。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体材料中存在的缺陷包括缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缺陷的类型包括孔洞、氧沉淀、自间隙原子聚集缺陷和错位缺陷。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缺陷区间包括空位聚集区、氧化诱生层错区、纯净空位区、纯净自间隙原子区和自间隙原子聚集区。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；
根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定半导体材料中存在的缺陷。
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