[发明专利]互连结构和包括该互连结构的半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202110401809.5 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113571495A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 崔朱逸;朴点龙;安振镐;李忠善;郑泰和;秦正起 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 互连 结构 包括 半导体 封装
【说明书】:

提供互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。互连结构包括介电层和介电层中的布线图案。布线图案包括过孔主体、与过孔主体竖直地重叠的第一焊盘主体以及从第一焊盘主体延伸的线主体。过孔主体、第一焊盘主体和线主体彼此一体地连接,并且第一焊盘主体的底表面的水平低于线主体的底表面的水平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0052231的优先权,该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本公开的实施例涉及互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。

背景技术

半导体封装件被提供为实现集成电路芯片,以胜任在电子产品中使用。半导体封装件通常被配置为使得半导体芯片被安装在印刷电路板上,并且接合线或凸块被用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展,已经进行了各种研究以改善半导体封装件的可靠性和耐久性。

发明内容

本公开的一些示例实施例提供了具有改善的可靠性的互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。

根据本公开的一些示例实施例,一种互连结构可以包括:介电层;以及布线图案,其位于介电层中,其中,布线图案可以包括:过孔主体;第一焊盘主体,其与过孔主体竖直地重叠;以及线主体,其从第一焊盘主体延伸。过孔主体、第一焊盘主体和线主体可以彼此一体地连接,并且第一焊盘主体的底表面的水平可以低于线主体的底表面的水平。

根据本公开的一些示例实施例,一种互连结构可以包括:介电层;以及多个布线图案,其位于介电层中。多个布线图案可以包括彼此独立地传送信号的第一布线图案和第二布线图案。第一布线图案和第二布线图案中的每一个可以包括:过孔主体;过孔焊盘主体,其与过孔主体竖直地重叠;以及线主体,其从过孔焊盘主体延伸。多个布线图案中的同一个布线图案的过孔主体、过孔焊盘主体和线主体可以彼此一体地连接。过孔主体的侧壁可以具有圆形形状,并且包括在第一布线图案中的过孔主体的底表面的水平可以低于包括在第二布线图案中的线主体的底表面的水平。

根据本公开的一些示例实施例,一种半导体封装件包括:再分布衬底,其包括再分布层;第一半导体芯片,其位于再分布衬底的一个表面上;多个芯片焊盘,其位于第一半导体芯片的一个表面上,第一半导体芯片的所述一个表面面对再分布衬底的所述一个表面;多个导电焊盘,其与多个芯片焊盘竖直地间隔开,并且设置在再分布衬底上;以及模制主体,其覆盖第一半导体芯片和再分布衬底的所述一个表面。再分布层可以包括:介电层;以及多个再分布图案,其位于介电层中。多个再分布图案中的每一个可以包括:过孔主体;第一焊盘主体,其与过孔主体竖直地重叠;以及线主体,其从第一焊盘主体延伸。多个再分布图案中的同一个再分布图案的过孔主体、第一焊盘主体和线主体可以彼此一体地连接,并且第一焊盘主体的竖直宽度可以大于多个再分布图案中的同一个再分布图案的线主体的竖直宽度。

附图说明

图1示出了呈现根据本公开的一些示例实施例的互连结构的简化平面图。

图2A示出了沿图1的线I-I’截取的截面图。

图2B示出了沿图1的线II-II’截取的截面图。

图3示出了呈现图2A的区段aa的放大图。

图4示出了呈现图2B的区段bb的放大图。

图5A示出了呈现根据本公开的一些示例实施例的制造互连结构的方法的沿图1的线I-I’截取的第一截面图。

图5B示出了呈现根据本公开的一些示例实施例的制造互连结构的方法的沿图1的线II-II’截取的第一截面图。

图6A示出了呈现根据本公开的一些示例实施例的制造互连结构的方法的沿图1的线I-I’截取的第二截面图。

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