[发明专利]互连结构和包括该互连结构的半导体封装件

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

介电层；以及

布线图案，其位于所述介电层中，

其中，所述布线图案包括：

过孔主体；

第一焊盘主体，其与所述过孔主体竖直地重叠；以及

线主体，其从所述第一焊盘主体延伸，

其中，所述过孔主体、所述第一焊盘主体和所述线主体彼此一体地连接，并且

其中，所述第一焊盘主体的底表面的水平低于所述线主体的底表面的水平。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一焊盘主体的底表面与所述线主体的底表面之间的水平差在0.3μm至0.8μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一焊盘主体的竖直宽度为所述线主体的竖直宽度的1.1倍至1.25倍。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一焊盘主体的直径等于或大于所述线主体的水平宽度的7倍，所述水平宽度在与所述线主体一体地连接到所述第一焊盘主体所沿的方向垂直的方向上。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其中，所述线主体的水平宽度大于0μm且等于或小于3μm。

6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述介电层的顶表面、所述第一焊盘主体的顶表面和所述线主体的顶表面彼此共面。

7.根据权利要求6所述的互连结构，其中，所述介电层是从所述线主体的顶表面开始并且到达所述过孔主体的底表面的单层。

8.根据权利要求7所述的互连结构，其中，所述介电层包括选自聚酰亚胺、聚苯并噁唑、酚醛聚合物和苯并环丁烯聚合物中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述过孔主体的侧壁具有圆形形状。

10.根据权利要求9所述的互连结构，其中，随着所述侧壁从所述过孔主体的底表面接近所述过孔主体的顶表面，所述过孔主体的侧壁的斜坡变得平缓。

11.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述布线图案还包括第二焊盘主体，

其中，所述第二焊盘主体一体地连接到所述线主体的远离所述第一焊盘主体的远端，并且

其中，所述第二焊盘主体的底表面的水平低于所述线主体的所述底表面的所述水平。

12.一种互连结构，包括：

介电层；以及

多个布线图案，其位于所述介电层中，

其中，所述多个布线图案包括彼此独立地传送信号的第一布线图案和第二布线图案，

其中，所述第一布线图案和所述第二布线图案中的每一个包括：

过孔主体；

过孔焊盘主体，其与所述过孔主体竖直地重叠；以及

线主体，其从所述过孔焊盘主体延伸，

其中，所述多个布线图案中的同一个布线图案的过孔主体、过孔焊盘主体和线主体彼此一体地连接，

其中，所述过孔主体的侧壁具有圆形形状，并且

其中，包括在所述第一布线图案中的过孔主体的底表面的水平低于包括在所述第二布线图案中的线主体的底表面的水平。

13.根据权利要求12所述的互连结构，其中，所述介电层的顶表面、包括在所述第一布线图案中的过孔焊盘主体的顶表面以及包括在所述第二布线图案中的线主体的顶表面彼此共面。

14.根据权利要求12所述的互连结构，其中，包括在所述第二布线图案中的线主体的宽度大于0μm且等于或小于3μm。

15.根据权利要求12所述的互连结构，其中，包括在所述第一布线图案中的过孔焊盘主体的竖直宽度为包括在所述第二布线图案中的线主体的竖直宽度的1.1倍至1.25倍。