[发明专利]具有三维结构的半导体装置

权利要求书

1.一种具有三维结构的半导体装置，该半导体装置包括：

第一晶圆，所述第一晶圆包括在所述第一晶圆的一个表面上的第一接合焊盘；

第二晶圆，所述第二晶圆包括在所述第二晶圆的接合至所述第一晶圆的所述一个表面的一个表面上的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘接合至所述第一接合焊盘；

多个防翘曲凹槽，所述多个防翘曲凹槽在所述第一晶圆的所述一个表面上，并且被布置为条形形状；以及

多个防翘曲肋部，所述多个防翘曲肋部在所述第二晶圆的所述一个表面上，并且分别联接至所述多个防翘曲凹槽，并且所述多个防翘曲肋部被布置为条形形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一晶圆包括在第一方向和第二方向上交替设置的多个第一单位区域和多个第二单位区域，

所述第一方向和所述第二方向平行于所述第一晶圆的所述一个表面并且彼此相交，并且

设置在所述多个第一单位区域中的所述防翘曲凹槽的延伸方向与设置在所述多个第二单位区域中的所述防翘曲凹槽的延伸方向彼此不同。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个第一单位区域的面积之和与所述多个第二单位区域的面积之和相同。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个第一单位区域中的每一个和所述多个第二单位区域中的每一个具有正方形形状。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一晶圆包括：

第一基板；

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列设置在所述第一基板上方，并且通过位线和字线被访问；以及

第一介电层，所述第一介电层设置在所述第一基板上以覆盖所述存储器单元阵列，并且在所述第一介电层的表面部分上具有所述多个防翘曲凹槽，

其中，所述第一介电层的所述表面部分由具有大于所述第一介电层的内部部分的硬度的硬度的介电材料制成。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述字线在所述第一方向上延伸，并且所述位线在所述第二方向上延伸，并且

设置在所述多个第一单位区域中的所述防翘曲凹槽的延伸方向是所述第一方向，并且设置在所述多个第二单位区域中的所述防翘曲凹槽的延伸方向是所述第二方向。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二晶圆包括：

第二基板；

逻辑电路，所述逻辑电路设置在所述第二基板上并且被配置为控制所述存储器单元阵列；以及

第二介电层，所述第二介电层被限定在所述第二基板上以覆盖所述逻辑电路，并且在所述第二介电层的表面部分上具有所述多个防翘曲肋部，

其中，所述第二介电层的所述表面部分由具有大于所述第二介电层的内部部分的硬度的硬度的介电材料制成。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

多个增强支撑件，所述多个增强支撑件设置在多个凹槽中，所述多个凹槽被限定在所述第一基板的面向所述存储器单元阵列的前表面和所述第一基板的背离所述前表面的后表面中的至少一个上，并且所述多个增强支撑件被布置为条形形状。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，设置在所述第一单位区域中的所述增强支撑件的延伸方向和设置在所述第二单位区域中的所述增强支撑件的延伸方向彼此不同。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述增强支撑件包括硬度高于所述第一基板的硬度的材料。