[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有层间介质层及位于层间介质层中的导电结构；

于所述层间介质层及所述导电结构上形成第一隔离介质层；

于所述第一隔离介质层中形成沟槽，所述沟槽暴露出所述导电结构的上表面及部分侧壁；

于所述沟槽中填充形成导电层结构；

其中，所述沟槽的底部侧壁与所述导电结构的暴露侧壁之间的距离为第一预设值，所述沟槽的底部与所述导电结构的上表面之间的距离为第二预设值。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设值不小于3纳米且不大于10纳米。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二预设值不小于1纳米且不大于20纳米。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述层间介质层和所述第一隔离介质层均包括氧化硅材料层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的底部侧壁之间的距离不大于所述沟槽的顶部侧壁之间的距离。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽至少包括倒梯形沟槽、长方形沟槽中的一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述第一隔离介质层中形成沟槽的步骤包括：

于所述第一隔离介质层上形成光刻掩膜图案，所述光刻掩膜图案的开口在所述衬底上的投影覆盖所述导电结构，且与所述导电结构的侧壁之间的距离大于或等于第一预设值；

以光刻掩膜图案为掩膜对所述第一隔离介质层进行图形化处理，在所述第一隔离介质层中形成所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述于所述第一隔离介质层上形成光刻掩膜图案之前还包括：

于所述第一隔离介质层上形成掩膜层的步骤；

所述以光刻掩膜图案为掩膜对所述第一隔离介质层进行图形化处理的步骤包括：

以光刻掩膜图案为掩膜对所述掩膜层进行图形化处理，得到掩膜图案；

以所述掩膜图案为掩膜对所述第一隔离介质层进行图形化处理，得到沟槽。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述以光刻掩膜图案为掩膜对所述掩膜层进行图形化处理的步骤还包括:

去除所述光刻掩膜图案；

所述以所述掩膜图案为掩膜对所述第一隔离介质层进行图形化处理的步骤还包括：

去除所述掩膜图案。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括自层间介质层依次叠加的旋涂硬掩膜层、氮氧化硅层，所述于所述第一隔离介质层上形成掩膜层的步骤包括：

于所述第一隔离介质层上形成旋涂硬掩膜层；

于所述旋涂硬掩膜层的上表面形成氮氧化硅层。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电层结构包括扩散阻挡层和导电层，所述于所述沟槽中填充形成导电层结构的步骤包括：

于所述沟槽中形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖在所述沟槽的侧壁及底部、所述沟槽暴露出的所述导电结构的上表面及部分侧壁上；

于所述扩散阻挡层的上表面形成导电层，所述导电层填满所述沟槽。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽中的导电层的上表面高于所述第一隔离介质层的上表面，所述于所述扩散阻挡层的上表面形成导电层之后还包括：

进行减薄处理，直至所述导电层的上表面与所述第一隔离介质层的上表面相齐平。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述扩散阻挡层至少包括氮化钛材料层、氮化钽材料层、氮化钨材料层中的一种，所述导电层和/或所述导电结构至少包括铜材料层、钨材料层、铝材料层中的一种。