[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一鳍件，位在该基底上；

一栅极结构，位在该鳍件上；

一对源极/漏极区，位在该鳍件的两侧上；

一介电层，位在该漏极区上并邻近该栅极结构；以及

一存储导电层，位在该介电层上；

其中，该漏极区、该介电层以及该存储导电层形成一存储结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构包括一栅极隔离层、一栅极导电层以及一栅极填充层，该栅极隔离层位在该鳍件上，该栅极导电层位在该栅极隔离层上，该栅极填充层位在该栅极导电层上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该栅极隔离层与该介电层为一体成形，且该栅极导电层与该存储导电层为一体成形。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该栅极隔离层与该介电层由相同材料所制，且该栅极导电层与该存储导电层由相同材料所制。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一栅极间隙子以及一存储间隙子，该栅极间隙子位在该栅极结构的其中一侧，该存储间隙子位在该存储结构的其中一侧。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该栅极间隙子与该存储间隙子将该栅极结构与该存储结构分开。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一栅极间隙子以及一位元线接触点，该栅极间隙子位在该栅极结构的其中一侧，该位元线接触点位在该对源极/漏极的一源极区上，该栅极间隙子将该栅极结构与该位元线接触点分开。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极导电层与该存储导电层具有相同高度。

9.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

多个鳍件，沿着一第一方向延伸；

多个栅极结构，位在该多个鳍件上，并沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向；以及

多个存储结构，沿着该第二方向而被一隔离材料所分开，并位在二相邻栅极结构之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该多个栅极结构具有多个平坦上表面以及多个突部，所述突部朝向位在二相邻鳍件之间的该基底。

11.一种半导体元件，包括：

一基底；

多个纳米线，位在该基底的一表面上，并平行于该基底的该表面，其中该多个纳米线包括多个通道区以及多个源极/漏极区，而所述源极/漏极区位在每一通道区的两侧上；

一栅极堆叠，围绕所述通道区设置；以及

一存储结构，位在该多个纳米线的其中一漏极区上，并位在邻近该栅极堆叠处；

其中，该存储结构包括一下导电层、一介电层以及一上导电层，该下导电层位在该漏极区上，该介电层位在该下导电层上，该上导电层位在该介电层上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该多个纳米线垂直设置。

13.如权利要求11所述的半导体元件，还包括一下电极，位在该下导电层下方并位在邻近该栅极堆叠处，其中该下电极的一宽度大于该下导电层的一宽度。

14.如权利要求13所述的半导体元件，还包括二存储间隙子，位在该上导电层的两侧、该介电层的两侧以及该下导电层的两侧上。

15.如权利要求14所述的半导体元件，还包括二接触点，位在该栅极堆叠的两侧上，并围绕该多个纳米线的所述源极/漏极区。

16.如权利要求15所述的半导体元件，还包括二栅极间隙子，位在该二接触点与该栅极堆叠之间。