[发明专利]半导体封装结构

说明书

本发明公开一种半导体封装结构，包括：基板；重分布层，在该基板的上方；第一半导体部件，在该重分布层的上方；导电柱，与该第一半导体部件相邻，其中该第一半导体部件和该导电柱由该模制材料围绕；以及第二半导体部件，在该模制材料上，其中该第二半导体部件通过该导电柱电耦接到该重分布层。本发明中采用导电柱与导电通孔连接，可以用于提供足够的接合力的关键制程，无杂质的清洁表面以及平坦的表面，因此，可以降低制造难度，并且可以提高产量，也可以提供低成本的好处。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

由于半导体工业的进步，业界需要比上一代封装结构占用更小的空间的更小的封装结构。一种技术解决方案是异构集成(heterogeneous integration)，即在同一封装中集成多个半导体晶粒。这样，可以降低制造成本，同时仍然能够提供高性能和高密度。

尽管现有的半导体封装结构通常对于它们的预期目的是足够的，但是它们在所有方面都不令人满意。例如，在一些封装结构中，铜-铜(Cu-Cu)接合技术被用于提供半导体晶粒之间的互连。在这种情况下，需要高温和足够的时间用于两个Cu(铜)层之间的相互扩散，这增加了成本并导致制造过程中的困难。因此，需要进一步改善半导体封装结构以降低生产成本并提高产量(yield)。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体封装结构，以解决上述问题。

根据本发明的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：

基板；

重分布层，在该基板的上方；

第一半导体部件，在该重分布层的上方；

导电柱，与该第一半导体部件相邻，其中该第一半导体部件和该导电柱由该模制材料围绕；以及

第二半导体部件，在该模制材料上，其中该第二半导体部件通过该导电柱电耦接到该重分布层。

根据本发明的第二方面，公开一种半导体封装结构，包括：

基板；

重分布层，在该基板的上方；

第一半导体部件，在该重分布层的上方，并具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；

通孔，在该第一半导体部件中，该通孔从该第一半导体部件的该第一表面延伸到该第一半导体部件的该第二表面；以及

第二半导体部件，在该第一半导体部件的上方，其中该第二半导体部件通过该多个凸块结构电耦接至该第一半导体部件，并通过该多个凸块结构和该通孔电耦接至该重分布层。

根据本发明的第三方面，公开一种半导体封装结构，包括：

基板；

重分布层，位于该基板上，并具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；

多个第一凸块结构，位于该重分布层的该第一表面上，并且将该重分布层电耦接至该基板的布线结构；

第一半导体部件，位于该重分布层的该第一表面上，并与该多个第一凸块结构相邻；以及

第二半导体部件，在该重分布层的该第二表面上，其中该第二半导体部件通过该重分布层电耦接到该第一半导体部件，并通过该多个第一凸块结构电耦接到该基板的该布线结构。