[发明专利]半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202110357465.2 申请日: 2021-04-01
公开(公告)号: CN113497021A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 蔡宜霖;许文松;彭逸轩;林仪柔 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

基板;

重分布层,在该基板的上方;

第一半导体部件,在该重分布层的上方;

导电柱,与该第一半导体部件相邻,其中该第一半导体部件和该导电柱由该模制材料围绕;以及

第二半导体部件,在该模制材料上,其中该第二半导体部件通过该导电柱电耦接到该重分布层。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一半导体部件通过多个凸块结构电耦接至该第二半导体部件。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一半导体部件通过该多个凸块结构、该第二半导体部件和该导电柱电耦接至该重分布层。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一半导体部件包括通孔,并且该通孔电耦接至该重分布层。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括在该第一半导体部件和该第二半导体部件之间的多个凸块结构,其中,该第二半导体部件通过该多个凸块结构和该通孔电耦接到该重分布层。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括在该第一半导体部件和该第二半导体部件之间的粘合层。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一半导体部件通过该导电柱和该重分布层与该第二半导体部件电连接。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该模制材料的侧壁与该重分布层的侧壁共面。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,该模制材料的侧壁与该第二半导体部件的侧壁共面。

10.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

基板;

重分布层,在该基板的上方;

第一半导体部件,在该重分布层的上方,并具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面;

通孔,在该第一半导体部件中,该通孔从该第一半导体部件的该第一表面延伸到该第一半导体部件的该第二表面;以及

第二半导体部件,在该第一半导体部件的上方,其中该第二半导体部件通过该多个凸块结构电耦接至该第一半导体部件,并通过该多个凸块结构和该通孔电耦接至该重分布层。

11.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括位于该重分布层与该基板之间的多个导电结构,其中,该多个导电结构电耦接至该重分布层与该基板的布线结构。

12.如权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括在该基板下方的多个导电端子,其中,该多个导电端子电耦接至该基板的布线结构。

13.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

基板;

重分布层,位于该基板上,并具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面;

多个第一凸块结构,位于该重分布层的该第一表面上,并且将该重分布层电耦接至该基板的布线结构;

第一半导体部件,位于该重分布层的该第一表面上,并与该多个第一凸块结构相邻;以及

第二半导体部件,在该重分布层的该第二表面上,其中该第二半导体部件通过该重分布层电耦接到该第一半导体部件,并通过该多个第一凸块结构电耦接到该基板的该布线结构。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构,其特征在于,进一步包括在该重分布层和该第一半导体部件之间具有的该多个第二凸起结构,其中该第一半导体部件通过该多个第二凸起结构电耦接到该重分布层。

15.如权利要求13所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括围绕该多个第一凸块结构和该多个第二凸块结构的底部填充材料。

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