[发明专利]半导体封装在审

专利信息
申请号: 202110324901.6 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113725198A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 柳在炅;李慈娟;李在银;高永权;朴辰遇;李泽勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/467
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。

技术领域

发明构思涉及半导体封装和/或制造该半导体封装的方法,更具体地,涉及堆叠式半导体封装和/或制造该堆叠式半导体封装的方法。

背景技术

随着电子工业的发展,电子产品对高性能、高速度和紧凑尺寸的需求不断增长。为了迎合该趋势,近来已经开发了在单个封装中安装多个半导体芯片的封装技术。

在最近的电子产品市场中,对便携式装置的需求日益增长,结果,已经期望减小安装在便携式装置上的电子部件的尺寸和重量。为了实现电子部件的尺寸和重量的减小,期望不仅减小安装部件的尺寸而且将许多单独的器件集成在单个封装上的技术。

发明内容

发明构思的一些示例实施方式提供了尺寸紧凑的半导体封装和/或制造该半导体封装的方法。

发明构思的一些示例实施方式提供了具有改善的结构稳定性的半导体封装和/或制造该半导体封装的方法。

发明构思的一些示例实施方式提供了制造半导体封装的方法,该方法减少了缺陷的发生。

发明构思的特征和效果不限于以上所提及的,本领域技术人员将由以下描述清楚地理解以上未提及的其它特征和效果。

根据发明构思的一些示例实施方式,一种半导体封装可以包括:封装基板;第一半导体芯片,安装在封装基板上;第二半导体芯片,安装在第一半导体芯片的顶表面上;以及第一底部填充层,填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间。该封装基板可以包括第一通风孔和在封装基板中的腔。第一通风孔可以从封装基板的顶表面延伸到腔,并且可以与腔流体连通。第一底部填充层可以沿着第一通风孔延伸以填充腔。

根据发明构思的一些示例实施方式,一种半导体封装可以包括:封装基板,在其中包括腔;第一半导体芯片,通过第一芯片端子安装在封装基板上;第二半导体芯片,通过第二芯片端子安装在第一半导体芯片的顶表面上;第一底部填充层,填充腔以及封装基板与第一半导体芯片之间的空间;第二底部填充层,填充第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的空间;以及在封装基板上的模制层。模制层可以围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片。在封装基板与第一半导体芯片之间的第一底部填充层的宽度可以小于在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第二底部填充层的宽度。

根据发明构思的一些示例实施方式,一种制造半导体封装的方法可以包括:提供封装基板,该封装基板包括在其中的腔以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔;在封装基板上形成第一底部填充层;在第一底部填充层上提供第一半导体芯片,以将第一半导体芯片安装在封装基板上;在第一半导体芯片上形成第二底部填充层;以及在第二底部填充层上提供第二半导体芯片,以将第二半导体芯片安装在第一半导体芯片上。当安装第一半导体芯片时,第一底部填充层可以通过第一通风孔被引入到腔中。当安装第二半导体芯片时,第二底部填充层可以从第二半导体芯片的一侧突出。

附图说明

图1示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的截面图。

图2示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的截面图。

图3示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的截面图。

图4和图5示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的平面图。

图6和图7示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的截面图。

图8示出了显示根据发明构思的一些示例实施方式的半导体封装的截面图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110324901.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top