[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在审
申请号: | 202110298653.2 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113808978A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 大桥直史;八幡橘;油谷幸则;松井俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
处理室,其对基板进行处理;
气体供给部,其向上述处理室内供给气体;
基板载置部,其配置在上述处理室内且具有载置基板的基板载置面;以及
臂,其支撑基板的下表面并向上述基板载置面输送该基板,
上述臂构成为,支撑基板的支撑部具有倾斜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述支撑部构成为,以上述倾斜的上端侧位于基板的端缘附近的状态支撑该基板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂安装于旋转轴,
以上述旋转轴为中心呈围绕状配置有多个上述基板载置部,
上述旋转轴进行旋转,从而上述臂在多个上述基板载置面之间输送基板。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂构成为,在上述支撑部的下端部分还具有朝向上方弯曲的弯曲部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述弯曲部具有不与基板的外周侧壁部接触的曲率半径。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
当上述臂对基板进行支撑时,上述外周侧壁部的最向上述弯曲部侧突出的部分的位置位于比上述弯曲部的前端部的位置靠上方。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂的上述弯曲部的前端的位置与上述臂的另一端的位置的差成为预定的范围的差。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂构成为,在上述支撑部的下端部分还具有朝向上方弯曲的弯曲部。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂安装于旋转轴,
以上述旋转轴为中心呈围绕状配置有多个上述基板载置部,
上述旋转轴进行旋转,从而上述臂在多个上述基板载置面之间输送基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂构成为,在上述支撑部的下端部分还具有朝向上方弯曲的弯曲部。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
上述弯曲部具有不与基板的外周侧壁部接触的曲率半径。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
当上述臂对基板进行支撑时,上述外周侧壁部的最向上述弯曲部侧突出的部分的位置位于比上述弯曲部的前端部的位置靠上方。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂的上述弯曲部的前端的位置与上述臂的另一端的位置的差成为预定的范围的差。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述臂构成为,在上述支撑部的下端部分还具有朝向上方弯曲的弯曲部。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
上述弯曲部具有不与基板的外周侧壁部接触的曲率半径。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,
当上述臂对基板进行支撑时,上述外周侧壁部的最向上述弯曲部侧突出的部分的位置位于比上述弯曲部的前端部的位置靠上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造