[发明专利]光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法

说明书

本发明涉及一种光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法,其中，光罩组件包括：第一光罩，用于在衬底上形成第一图形化结构，第一图形化结构具有第一图形化开口，第一图形化开口包括多个条状图形，第一光罩的中心与衬底中心重合时，第一区域与第二区域的交界线两侧的条状图形之间的距离大于其他相邻两个条状图形之间的距离；第二光罩，用于形成第二图形化结构，第二图形化结构用于覆盖第二区域的第一图形化开口，第二光罩的中心以及第一光罩的中心与衬底中心重合时，第二图形化结构的开口边缘与与其相邻的条状图形之间的距离大于第一预设距离。本申请可以有效降低光罩发生偏移引起的良率损失。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光罩组件、图形化掩膜及其形成方法、有源区的形成方法。

背景技术

在半导体器件的制作工艺过程中，通常需要衬底上形成图形化掩膜，进而便于后续工艺过程的进行。

传统技术中，图形化掩膜通常通过三个光罩而形成。首先通过第一光罩在衬底上形成第一图形化结构；然后通过第二光罩形成覆盖位于边缘的第二区域的第一图形化结构的第二图形化结构；之后通过第三光罩形成覆盖第二图形化结构暴露的位于中央的第一区域的第一图形化结构，并去除第三图形化结构与第二图形化结构之间的第一图形化结构，从而形成图形化掩膜。

通过此方法形成图形化掩膜时，工艺复杂且难以控制，容易导致光罩发生偏移造成良率损失。

发明内容

基于此，有必要针对现有图形化掩膜形成技术中的光罩偏移，容易造成良率损失的问题提供一种光罩组件以及图形化掩膜形成方法。

一种光罩组件，用于在衬底上形成图形化掩膜，所述衬底具有第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述光罩组件包括：

第一光罩，用于在所述衬底上形成第一图形化结构，所述第一图形化结构具有第一图形化开口，所述第一图形化开口包括多个条状图形，所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时，所述第一区域与所述第二区域的交界线两侧的所述条状图形之间的距离大于其他相邻两个所述条状图形之间的距离；

第二光罩，用于形成第二图形化结构，所述第二图形化结构用于覆盖所述第二区域的第一图形化开口，且具有第二图形化开口，所述第二图形化开口用于暴露所述第一区域内的所述第一图形化开口，所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时，所述第二图形化结构的开口边缘与与其相邻的所述条状图形之间的距离大于第一预设距离；

第三光罩，用于形成第三图形化结构，所述第一区域包括第一子区域与第二子区域，在所述条状图形的延伸方向上，所述第二子区域位于所述第一子区域的两侧，所述第三图形化结构形成在所述第一子区域中，用于覆盖所述第一子区域内的所述第一图形化开口。

本申请对形成第一图形化结构的第一光罩进行改进，使得第一光罩的中心与衬底中心重合时，第一区域与第二区域的交界线两侧的条状图形之间的距离大于第一区域内的各个条状图形之间的距离。同时，对形成第二图形化结构的光罩在方向上进行改进，形成第二光罩，使得第二光罩的中心以及第一光罩的中心与衬底中心重合时，第二图形化结构的开口边缘与与其相邻的条状图形之间的距离大于第一预设距离。

因此，此时即便第二光罩在X方向具有偏移，也不容易向传统技术一样导致最终形成的图形化掩膜缺失一个条状图形(即缺失一条虚设线)，从而降低良率损失。

在其中一个实施例中，所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心与所述衬底中心重合时，所述第二图形化结构的开口边缘与其两侧相邻的条状图形之间的距离相同。

在其中一个实施例中，所述第二光罩的中心以及所述第三光罩的中心与所述衬底中心重合时，在所述条状图形的延伸方向上，所述第二图形化结构的开口边缘与所述第三图形化结构之间的距离小于第二预设距离。