[发明专利]半导体封装结构、方法、器件和电子产品

说明书

本申请提供一种半导体封装结构、方法、器件和电子产品。该半导体封装结构中，被封装元件一一对应地固定在衬底上的凹槽内；被封装元件的有源表面背向衬底，被封装元件与其所处凹槽之间由绝缘材料隔开，各被封装元件均具有位于其有源表面上的第一焊盘，第一焊盘的上表面平齐；重布线层内导体之间由绝缘材料隔开，钝化层位于重布线层背向衬底一侧；衬底由半导体材料或绝缘材料形成，衬底与被封装元件内的半导体材料的热膨胀系数相同或相近，重布线层由晶圆制造工艺形成。该半导体封装结构翘曲程度小、可靠性高、工艺成熟、互连密度高，面积小。

技术领域

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体封装结构、方法、器件和电子产品。

背景技术

现有半导体封装制造工艺中，需要对被封装元件(例如是裸芯，也称die)进行封装，进而得到半导体器件。通常的工艺是将被封装元件固定在基板(substrate)、框架(leadframe)或转接板(interposer)上，然后再用互联和塑封等一系列工艺实现对被封装元件的包裹，从而得到封装好的半导体器件。

发明内容

本申请的目的在于提供一种半导体封装结构、方法、器件和电子产品。

为解决上述技术问题，本申请采用如下技术方案：一种半导体封装结构，包括：衬底、至少一个被封装元件、重布线层和钝化层，所述衬底上开设有至少一个凹槽，所述被封装元件一一对应地固定在所述凹槽内；

所述被封装元件的有源表面背向所述衬底，所述被封装元件与其所处凹槽之间由绝缘材料隔开，各所述被封装元件均具有位于其有源表面上的第一焊盘，全部所述第一焊盘的背向所述衬底的表面平齐；

所述重布线层位于所述被封装元件背向所述衬底一侧，所述重布线层的第一面上形成有多个第二焊盘，所述重布线层的与所述第一面相对的第二面上形成有多个第三焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘一一对应地电接触，所述重布线层内的导体与导体之间由绝缘材料隔开，所述重布线层还具有电连接第二焊盘和第三焊盘的走线；

所述钝化层位于所述重布线层背向所述衬底一侧；

其中，所述衬底由半导体材料或绝缘材料形成，所述衬底与所述被封装元件内的半导体材料的热膨胀系数相同或相近，所述重布线层由晶圆制造工艺形成。

为解决上述技术问题，本申请采用如下技术方案：一种半导体封装方法，包括：

在衬底上形成至少一个凹槽；

将至少一个被封装元件一一对应地固定在所述凹槽内，其中，所述被封装元件的有源表面背向所述衬底，所述被封装元件与其所处凹槽之间由绝缘材料隔开，各所述被封装元件均具有位于其有源表面上的第一焊盘，全部所述第一焊盘的背向所述衬底的表面平齐；

形成暴露所述第一焊盘的平整表面；

采用晶圆制造工艺形成重布线层，所述重布线层的第一面上形成有多个第二焊盘，所述重布线层的与所述第一面相对的第二面上形成有多个第三焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘一一对应地电接触，所述重布线层内的导体与导体之间由绝缘材料隔开，所述重布线层还具有电连接第二焊盘和第三焊盘的走线；

形成钝化层；

其中，所述衬底由半导体材料或绝缘材料形成，所述衬底与所述被封装元件内的半导体材料的热膨胀系数相同或相近。

为解决上述技术问题，本申请采用如下技术方案：一种半导体器件，包括：前述的半导体封装结构。

为解决上述技术问题，本申请采用如下技术方案：一种电子产品，包括：前述的半导体器件。

与现有技术相比，本申请的有益效果为：