[发明专利]半导体封装结构、方法、器件和电子产品

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：衬底、至少一个被封装元件、重布线层和钝化层，所述衬底上开设有至少一个凹槽，所述被封装元件一一对应地固定在所述凹槽内；

所述被封装元件的有源表面背向所述衬底，所述被封装元件与其所处凹槽之间由绝缘材料隔开，各所述被封装元件均具有位于其有源表面上的第一焊盘，全部所述第一焊盘的背向所述衬底的表面平齐；

所述重布线层位于所述被封装元件背向所述衬底一侧，所述重布线层的第一面上形成有多个第二焊盘，所述重布线层的与所述第一面相对的第二面上形成有多个第三焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘一一对应地电接触，所述重布线层内的导体与导体之间由绝缘材料隔开，所述重布线层还具有电连接第二焊盘和第三焊盘的走线；

所述钝化层位于所述重布线层背向所述衬底一侧；

其中，所述衬底由半导体材料或绝缘材料形成，所述衬底与所述被封装元件内的半导体材料的热膨胀系数相同或相近，所述重布线层由晶圆制造工艺形成。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述衬底内的半导体材料与所述被封装元件内的半导体材料相同。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件内的半导体材料为硅或砷化镓，并且所述衬底的材料为工程耐热玻璃。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件内的绝缘材料以及所述重布线层内的绝缘材料的热膨胀系数相同或相近。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述重布线层内的绝缘材料和所述被封装元件内的绝缘材料均包含二氧化硅或均包含多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件的数量为多个且厚度相等，各所述凹槽的深度相等。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件的数量为多个，且至少两个被封装元件的厚度不相等，其中，至少两个凹槽的深度不同，以使各所述被封装元件的第一焊盘的上表面平齐。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括位于所述钝化层背向所述衬底一侧的电极结构，所述钝化层上与所述第三焊盘相对的区域开设有过孔，所述电极结构与所述第三焊盘一一对应，所述电极结构通过所述过孔与对应第三焊盘电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件呈裸芯的状态。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件与所处凹槽的槽底之间由绝缘粘胶层隔开。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述被封装元件与所处凹槽的侧面之间由固化的树脂材料或无机绝缘材料隔开。

12.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成至少一个凹槽；

将至少一个被封装元件一一对应地固定在所述凹槽内，其中，所述被封装元件的有源表面背向所述衬底，所述被封装元件与其所处凹槽之间由绝缘材料隔开，各所述被封装元件均具有位于其有源表面上的第一焊盘，全部所述第一焊盘的背向所述衬底的表面平齐；

形成暴露所述第一焊盘的平整表面；

采用晶圆制造工艺形成重布线层，所述重布线层的第一面上形成有多个第二焊盘，所述重布线层的与所述第一面相对的第二面上形成有多个第三焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘一一对应地电接触，所述重布线层内的导体与导体之间由绝缘材料隔开，所述重布线层还具有电连接第二焊盘和第三焊盘的走线；

形成钝化层；

其中，所述衬底由半导体材料或绝缘材料形成，所述衬底与所述被封装元件内的半导体材料的热膨胀系数相同或相近。