[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，具备第1面及第2面；第1电极及第2电极，设置在半导体衬底的第1面侧；第3电极及第4电极，设置在半导体衬底的第2面侧；第1贯通电极，沿第1方向延伸且连接于第1电极及第3电极；第2贯通电极，沿第1方向延伸且连接于第2电极及第4电极；以及第1绝缘层，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间及半导体衬底与第2贯通电极之间。另外，第1绝缘层具备：第1部分，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间；以及第2部分，设置在半导体衬底与第2贯通电极之间。进而，半导体衬底在第2面侧设置着：N型的第1杂质区域，隔着第1部分而与第1贯通电极的外周面对向；以及N型的第2杂质区域，隔着第2部分而与第2贯通电极的外周面对向，且与第1杂质区域相分离。另外，在第1杂质区域与第2杂质区域之间，与第1杂质区域接触而设置着P型的第3杂质区域。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-43028号(申请日：2020年3月12日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本实施方式关于一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，具备：半导体衬底，具备第1面及第2面；第1电极及第2电极，设置在半导体衬底的第1面侧；第3电极及第4电极，设置在半导体衬底的第2面侧；第1贯通电极，沿与第1面及第2面交叉的第1方向延伸且在第1方向的一端连接于第1电极，在第1方向的另一端连接于第3电极；以及第2贯通电极，沿第1方向延伸且在第1方向的一端连接于第2电极，在第1方向的另一端连接于第4电极。

发明内容

实施方式提供一种可靠性较高的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，具备第1面及第2面；第1电极及第2电极，设置在半导体衬底的第1面侧；第3电极及第4电极，设置在半导体衬底的第2面侧；第1贯通电极，沿与第1面及第2面交叉的第1方向延伸，且在第1方向的一端连接于第1电极，在第1方向的另一端连接于第3电极；第2贯通电极，沿第1方向延伸，且在第1方向的一端连接于第2电极，在第1方向的另一端连接于第4电极；以及第1绝缘层，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间及半导体衬底与第2贯通电极之间。另外，第1绝缘层具备：第1部分，设置在半导体衬底与第1贯通电极之间；以及第2部分，设置在半导体衬底与第2贯通电极之间。进而，半导体衬底在第2面侧设置着：N型的第1杂质区域，隔着第1部分而与第1贯通电极的外周面对向；以及N型的第2杂质区域，隔着第2部分而与第2贯通电极的外周面对向，且与第1杂质区域相分离。另外，在第1杂质区域与第2杂质区域之间，与第1杂质区域接触而设置着P型的第3杂质区域。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器系统10的构成的示意性的框图。

图2是表示第1实施方式的存储器裸片MD₁的构成的示意性的框图。

图3是表示第1实施方式的存储器系统10的构成例的示意性的剖视图。

图4A是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的仰视图。

图4B是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的剖视图。

图4C是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的俯视图。

图5是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的剖视图。

图6是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的剖视图。

图7是表示存储器裸片MD₁的构成例的示意性的剖视图。

图8～17是用来对存储器裸片MD₁的制造方法进行说明的示意性的剖视图。