[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

半导体衬底，具备第1面及第2面；

第1电极及第2电极，设置在所述半导体衬底的第1面侧；

第3电极及第4电极，设置在所述半导体衬底的第2面侧；

第1贯通电极，沿与所述第1面及所述第2面相交叉的第1方向延伸，

且在所述第1方向的一端连接于所述第1电极，在所述第1方向的另一端连接于所述第3电极；

第2贯通电极，沿所述第1方向延伸，且在所述第1方向的一端连接于所述第2电极，

在所述第1方向的另一端连接于所述第4电极；以及

第1绝缘层，设置在所述半导体衬底与所述第1贯通电极之间及

所述半导体衬底与所述第2贯通电极之间；且

所述第1绝缘层具备：

第1部分，设置在所述半导体衬底与所述第1贯通电极之间；以及

第2部分，设置在所述半导体衬底与所述第2贯通电极之间；

所述半导体衬底在所述第2面侧设置有：

N型的第1杂质区域，隔着所述第1部分而与所述第1贯通电极的外周面对向；以及

N型的第2杂质区域，隔着所述第2部分而与所述第2贯通电极的外周面对向，且与所述N型的第1杂质区域相分离；且

在所述N型的第1杂质区域与所述N型的第2杂质区域之间，与所述N型的第1杂质区域接触而设置有P型的第3杂质区域。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述N型的第1杂质区域在从所述第1方向观察时，在所述半导体衬底的所述第2面侧包围所述第1贯通电极的外周；

所述N型的第2杂质区域在从所述第1方向观察时，在所述半导体衬底的所述第2面侧包围所述第2贯通电极的外周。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述P型的第3杂质区域与所述N型的第2杂质区域接触。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述P型的第3杂质区域与所述第1绝缘层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2贯通电极与所述第1贯通电极相分离而设置。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述半导体衬底在所述第1面侧设置有：

第1绝缘区域，在从所述第1方向观察时，隔着所述第1部分包围所述第1贯通电极；以及

第2绝缘区域，在从所述第1方向观察时，隔着所述第2部分包围所述第2贯通电极，且与所述第1绝缘区域相分离。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述半导体衬底在所述第1面侧，

进而具有第1绝缘区域，所述第1绝缘区域在从所述第1方向观察时，隔着所述第1部分包围所述第1贯通电极；且

所述N型的第1杂质区域从所述第1贯通电极的所述第2面侧到所述第1绝缘区域为止沿着外周面延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述半导体衬底在所述第1面侧，

进而具有第2绝缘区域，所述第2绝缘区域在从所述第1方向观察时，隔着所述第2部分包围所述第2贯通电极；且

所述N型的第2杂质区域从所述第2贯通电极的所述第2面侧到所述第2绝缘区域为止沿着外周面延伸。