[发明专利]腔室及半导体制造设备

说明书

本发明公开一种腔室及半导体制造设备，所公开的腔室包括腔室本体(100)；所述腔室本体(100)包括顶板(110)、底板(120)和两个侧板(130)，所述顶板(110)、所述底板(120)和两个所述侧板(130)围成反应空间(140)，所述顶板(110)和所述底板(120)相对设置，两个所述侧板(130)相对设置，两个所述侧板(130)分别可拆卸地设置于所述顶板(110)和所述底板(120)之间。上述方案能够解决腔室表面的附着物清除难度较大的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种腔室及半导体制造设备。

背景技术

外延晶片是半导体晶片的表面上气相生长外延层而成的晶片。相关技术中，半导体制造设备的腔室通常为圆柱形结构，腔室内可以通过入CH4和SiH4等工艺气体，CH4和SiH4等工艺气体在腔室内发生反应，进而在晶片上生长碳化硅外延膜。

工艺气体在腔室内反应时，碳化硅以及工艺气体的其他副产物，会附着在腔室的内壁上，因此操作人员需要定期对这些附着物进行清理。

然而，由于腔室内部的空间较小，进而使得操作人员在清除腔室的附着物时操作不便，同时腔室通常为圆柱形结构，因此腔室的内壁为曲面，曲面上的附物清除难度较大，因此造成操作人员在清除腔室表面的附着物时难度较大。

发明内容

本发明公开一种腔室及半导体制造设备，以解决腔室表面的附着物清除难度较大的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种腔室，用于半导体制造设备，包括腔室本体；

所述腔室本体包括顶板、底板和两个侧板，所述顶板、所述底板和两个所述侧板围成反应空间，所述顶板和所述底板相对设置，两个所述侧板相对设置，两个所述侧板分别可拆卸地设置于所述顶板和所述底板之间。

一种半导体制造设备，包括上述的腔室。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的腔室中，腔室本体包括顶板、底板和两个侧板，顶板、底板和两个侧板围成反应空间，顶板和底板相对设置，两个侧板相对设置，两个侧板分别可拆卸地设置于顶板和底板之间。此方案中，两个侧板分别可拆卸地设置于顶板和底板之间，此时顶板、底板和两个侧板均可以实现单独拆卸，因此操作人员在清除附着物时，可以将顶板、底板或者两个侧边拆卸下来，进行清理，进而使得操作人员不受空间的限制，因此使得操作人员操作更加方便，同时顶板、底板和侧板均为板状结构件，因此其表面为平面，进而使得附着物清除更加容易，以降低腔室表面附着物的清除难度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的腔室的爆炸图；

图2为本发明实施例公开的腔室的剖视图；

图3至图7为本发明实施例公开的腔室的结构示意图；

图8和图9为本发明实施例公开的腔室的第一板体的结构示意图；

图10和图11为本发明实施例公开的腔室的第二板体的结构示意图；

图12至图15为本发明实施例公开的腔室的底板的结构示意图；

图16至图20为本发明实施例公开的腔室的保温部的部分部件的结构示意图；

图21至图23为本发明实施例公开的腔室的挡板的结构示意图。

附图标记说明：