[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构在基材中包含第一元件。半导体结构包含间隙填充层。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第一部分具有锥形侧壁。基材的第一部分将间隙填充层的第一部分与第一元件分开。

技术领域

本公开涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体元件被应用于多种电子设备中(例如，手机、笔记型电脑、桌上型电脑、平板电脑、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费电子产品)。半导体元件通常包括半导体部分和形成在半导体部分内的布线部分。

发明内容

依据本公开的部分实施例，提供一种半导体结构，包含：第一元件和间隙填充层。第一元件位于基材中。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第一部分具有锥形侧壁。基材的第一部分将间隙填充层的第一部分与第一元件分开。

依据本公开的部分实施例，提供一种半导体结构，包含：第一元件和间隙填充层。第一元件位于基材中。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第二部分与第一元件横向偏移。基材的第一部分将间隙填充层的第二部分与第一元件分开。

依据本公开的部分实施例，提供一种半导体结构的制造方法，包含：形成第一凹槽于基材中，其中第一凹槽覆盖基材中的第一元件；形成第一沟槽于基材中，其中第一沟槽在基材中的第一元件和第二元件之间；以及形成间隙填充层于第一凹槽和第一沟槽中，使得间隙填充层的第一部分覆盖第一元件，并且间隙填充层的第二部分在第一元件和第二元件之间。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细的描述可以最好地理解本公开的各方面。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1至图15绘示根据部分实施例的在制程的各个阶段中半导体结构的横截面图；

图16绘示根据部分实施例的半导体结构的横截面图；

图17绘示根据部分实施例的半导体结构的横截面图；

图18绘示根据部分实施例的半导体结构的横截面图。

【符号说明】

100：半导体结构

102：基材

102a：部分

102b：部分

104：元件

106：结构

108：第二介电层

110：低电阻结构

112：第一介电层

202：第一侧面

204：第二侧面

206：厚度

208：方向

302：遮罩层

402：图案化的遮罩层

502：凹槽

602：距离

604：距离

606：距离

608：第一锥形侧壁

610：第二锥形侧壁

702：光阻

802：光阻

902：沟槽