[发明专利]一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法

权利要求书

1.一种半导体功率模组，其特征在于，包括：

晶片载体(10)；

第一晶片(20)，其底面通过第一结合层(41)结合于所述晶片载体(10)的顶面；所述第一晶片(20)的底面设有第一底部电极(21)，所述第一底部电极(21)与所述晶片载体(10)电连接；所述第一晶片(20)的内部设有导电柱，所述导电柱的一端与所述第一底部电极(21)电连接，另一端由所述第一晶片(20)的顶面露出；

第二晶片(30)，其底面通过第二结合层(42)结合于所述第一晶片(20)的顶面；所述第二晶片(30)的底面设有第二底部电极(31)；所述第二底部电极(31)通过所述导电柱与所述第一底部电极(21)电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体功率模组，其特征在于，所述第一晶片(20)的底面设有第一源极(201)、第一栅极(202)和第一漏极(203)；所述第一源极(201)、所述第一栅极(202)和所述第一漏极(203)均为所述第一底部电极(21)；所述第二晶片(30)的底面设有第二源极(301)、第二栅极(302)和第二漏极(303)；所述第二源极(301)、所述第二栅极(302)和所述第二漏极(303)均为所述第二底部电极(31)；

所述半导体功率模组包括第一导电柱(51)、第二导电柱(52)和第三导电柱(53)；所述第二源极(301)通过所述第一导电柱(51)与所述第一源极(201)电连接，所述第二栅极(302)通过所述第二导电柱(52)与所述第一栅极(202)电连接，所述第二漏极(303)通过所述第三导电柱(53)与所述第一漏极(203)电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体功率模组，其特征在于，还包括金属连接片(70)，所述金属连接片(70)通过第三结合层(43)结合于所述第二晶片(30)的顶面；所述第二晶片(30)的顶面设有第二顶部电极；所述第二顶部电极通过所述金属连接片(70)与所述晶片载体(10)电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体功率模组，其特征在于，所述第一晶片(20)的底面设有第一源极(201)、第一栅极(202)和第一漏极(203)；所述第一源极(201)、所述第一栅极(202)和所述第一漏极(203)均为所述第一底部电极(21)；

所述第二晶片(30)的底面设有第二源极(301)、第二栅极(302)和第二漏极(303)；所述第二源极(301)为所述第二顶部电极；所述第二栅极(302)和所述第二漏极(303)均为所述第二底部电极(31)；

所述半导体功率模组包括第二导电柱(52)和第三导电柱(53)，所述第二栅极(302)通过所述第二导电柱(52)与所述第一栅极(202)电连接，所述第二漏极(303)通过所述第三导电柱(53)与所述第一漏极(203)电连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体功率模组，其特征在于，所述第一结合层(41)内设有电连接结构(60)，所述第一底部电极(21)通过所述第一结合层(41)内的所述电连接结构(60)与所述晶片载体(10)电连接；

所述第二结合层(42)内设有电连接结构(60)，所述第二底部电极(31)通过所述第二结合层(42)内的电连接结构(60)与所述导电柱电连接。

6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体功率模组，其特征在于，所述第一结合层(41)为焊料层、或为包含若干银颗粒的焊料层、或为烧结银层；所述第二结合层(42)为锡层、或为包含若干银颗粒的锡层、或为烧结银层。