[发明专利]包括叠加标记的电子装置、包括叠加标记的存储器装置及相关方法在审
| 申请号: | 202080058364.9 | 申请日: | 2020-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN114391179A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | R·科塔里;H·N·贾殷;J·D·霍普金斯;张晓松 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L27/11524;H01L27/11556 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 叠加 标记 电子 装置 存储器 相关 方法 | ||
1.一种电子装置,其包括:
至少一个高纵横比特征,其在基底材料堆叠中;
叠加标记,其仅在所述基底材料堆叠的上部中或上;及
额外材料堆叠,其邻近所述基底材料堆叠,所述额外材料堆叠包括所述至少一个高纵横比特征。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括不仅在所述基底材料堆叠的所述上部中或上的其它叠加标记。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述叠加标记包括较低纵横比特征。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括反射材料。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括不透明材料。
6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述基底材料堆叠包括光学透明材料。
7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述至少一个高纵横比特征存在于所述电子装置的阵列区中,且所述叠加标记存在于所述电子装置的叠加标记区中。
8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述至少一个高纵横比特征存在于所述电子装置的裸片区中,且所述叠加标记存在于所述电子装置的切割道区中。
9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述至少一个高纵横比特征及所述叠加标记存在于所述电子装置的裸片区中。
10.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记的相应叠加标记在所述至少一个高纵横比特征中。
11.根据权利要求10所述的电子装置,其中所述叠加标记包括多晶硅材料之上的金属硅化物材料。
12.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括叠加标记区中的所述基底材料堆叠的所述上部中的光学对比材料,且所述叠加标记延伸到所述光学对比材料。
13.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括叠加标记区中的所述基底材料堆叠的所述上部上的光学对比材料。
14.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括所述基底材料堆叠的所述上部中及叠加标记区中的高纵横比特征之上的光学对比材料。
15.根据权利要求14所述的电子装置,其中所述光学对比材料包括所述基底材料堆叠的所述上部中及所述叠加标记区中的高纵横比特征之上的反射材料,且所述反射材料不存在于阵列区中的所述基底材料堆叠的所述上部中。
16.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括在所述基底材料堆叠的所述上部中且包围叠加标记区中的高纵横比特征的光学对比材料。
17.根据权利要求16所述的电子装置,其中所述光学对比材料包括在所述基底材料堆叠的所述上部中且包围所述叠加标记区中的所述高纵横比特征的不透明材料,所述不透明材料不存在于阵列区中的所述基底材料堆叠的所述上部中。
18.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括所述叠加标记区中的阳形貌。
19.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的电子装置,其中所述叠加标记包括所述叠加标记区中的阴形貌。
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