[发明专利]包含含钌导电栅极的组合件

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

导电栅极，其包括钌；

电荷阻挡区，其邻近于所述导电栅极；

电荷存储区，其邻近于所述电荷阻挡区；

隧穿材料，其邻近于所述电荷存储区；以及

沟道材料，其邻近于所述隧穿材料。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其包括电介质阻挡层材料，所述电介质阻挡层材料直接抵靠所述导电栅极的所述钌且在所述电荷阻挡区与所述导电栅极之间。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述沟道材料包括硅、锗、III/V半导体材料和半导体氧化物中的一或多种。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述沟道材料包括硅。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电栅极由所述钌组成。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电栅极包括：

导电芯材料，其包括除所述钌外的一或多种金属；以及

第二导电材料，其邻近于所述导电芯材料的周边且包括所述钌。

7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述导电芯材料由除所述钌外的所述一或多种金属组成。

8.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述导电芯材料包含钨和钼中的一种或两种。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电栅极包括：

导电芯材料，其包括除所述钌外的一或多种金属；

第二导电材料，其邻近于所述导电芯材料且包括至少一种金属氮化物；以及

第三导电材料，其邻近于所述第二导电材料且包括所述钌。

10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电栅极包括：

导电芯材料，其包括除所述钌外的一或多种金属；

第二导电材料，其邻近于所述导电芯材料且包括钛和钨中的一种两种；以及

第三导电材料，其邻近于所述第二导电材料且包括所述钌。

11.根据权利要求10所述的存储器单元，其中：

所述导电芯材料由钨组成；

所述第二导电材料包括氮化钛和氮化钨中的一种或两种；且

所述第三导电材料由所述钌组成。

12.一种组合件，其包括：

交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠，所述字线层级包括导电字线材料，所述导电字线材料包含钌；

半导体材料，其作为沟道结构延伸穿过所述堆叠；

电荷存储区，其在所述导电字线材料与所述沟道结构之间；以及

电荷阻挡区，其在所述电荷存储区与所述导电字线材料之间。

13.根据权利要求12所述的组合件，其中所述导电字线材料由所述钌组成。

14.根据权利要求12所述的组合件，其中所述半导体材料包括硅。

15.根据权利要求12所述的组合件，其中所述导电字线材料包括：

导电芯材料，其不包含所述钌；以及

第二导电材料，其邻近于所述导电芯材料的周边且包括所述钌。

16.根据权利要求15所述的组合件，其中所述导电芯材料包含一或多种金属。

17.根据权利要求15所述的组合件，其中所述导电芯材料由钨组成。

18.根据权利要求15所述的组合件，其中所述导电芯材料由钼组成。