[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法

说明书

本发明的半导体装置具有支石墓结构，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，且支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成、或者包括由热固性树脂组合物的固化物形成的层、以及树脂层或金属层。

技术领域

本发明涉及一种具有支石墓结构的半导体装置，该半导体装置包括：基板；第一芯片，配置在基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑并且配置成覆盖第一芯片。并且，本发明涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法。另外，支石墓(dolmen)是石墓的一种，具备多个支柱石及载置在其上的板状的岩石。在具有支石墓结构的半导体装置中，支撑片相当于“支柱石”，第二芯片相当于“板状的岩石”。

背景技术

近年来，在半导体装置的领域，要求高集成、小型化以及高速化。作为半导体装置的一方式，在配置于基板上的控制器芯片上层叠半导体芯片的结构受到关注。例如专利文献1公开了一种半导体晶粒组件，该半导体晶粒组件包括控制器晶粒、以及在控制器晶粒上由支撑部件支撑的存储器晶粒。专利文献1的图1A所示的半导体组件100可谓是具有支石墓结构。即，半导体组件100包括封装基板102、配置在封装基板102表面上的控制器晶粒103、配置在控制器晶粒103上方的存储器晶粒106a、存储器晶粒106b、以及支撑存储器晶粒106a的支撑部件130a、支撑部件130b。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特表2017-515306号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

专利文献1公开了作为支撑部件(支撑片)，能够使用硅等半导体材料，更具体而言，能够使用切割半导体晶圆而得到的半导体材料的断片(参考专利文献1的[0012]、[0014]及图2)。为了使用半导体晶圆制造支石墓结构用的支撑片，与普通的半导体芯片的制造同样，例如需要以下的各工序。

(1)在半导体晶圆上贴附背面研磨带(back grind tape)的工序；

(2)背面研磨半导体晶圆的工序；

(3)对切割环与配置在其中的背面研磨后的半导体晶圆贴附具有压敏胶黏层及黏合剂层的膜(切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型膜)的工序；

(4)从半导体晶圆剥离背面研磨带的工序；

(5)将半导体晶圆单片化的工序；

(6)从压敏胶黏层拾取包含半导体芯片与黏合剂片的层叠体的支撑片的工序；

(7)将多个支撑片压接在基板的规定位置的工序。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，能够简化制作支撑片的工序。并且，本发明提供一种具有支石墓结构的半导体装置、以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法。

用于解决技术课题的手段

本发明的一个方面涉及一种具有支石墓结构的半导体装置的制造方法。该制造方法包括以下的工序。

(A)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；

(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；

(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序；

(D)在基板上配置第一芯片的工序；

(E)在基板上且第一芯片的周围或应配置第一芯片的区域的周围，配置多个支撑片的工序；