[实用新型]晶圆级芯片封装结构有效
申请号: | 202021696344.8 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN212392233U | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 殷晨光;陈彦亨 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构,其特征在于,包括:
第一封装层;
固定于所述第一封装层表面的第一芯片;
覆盖所述第一芯片和所述第一封装层的第二封装层;
位于所述第二封装层上方的重新布线层,所述重新布线层电性连接所述第一芯片;
位于所述重新布线层上方的第二芯片,所述第二芯片电性连接所述重新布线层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述第二封装层中还形成有连接所述重新布线层和所述第一芯片的通孔。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:在所述重新布线层上还形成有焊球。
5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于:在所述重新布线层和所述第二芯片之间还形成有填充层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021696344.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种波导极化转换装置
- 下一篇:一种用于全现浇砼外墙的外脚手架工具式连墙件