[实用新型]半导体装置的凸块结构

权利要求书

1.一种半导体装置的凸块结构，其特征在于，包含：

一装置主体，其具有一接合面、多个在该接合面上的线路以及一与该接合面连接的第一侧边；

至少一第一焊垫，设置于该接合面上；

至少一辅助垫，设置于该接合面上，该第一焊垫与该辅助垫彼此间隔，该第一焊垫邻近于该第一侧边，而该辅助垫相对于该第一焊垫是远离该第一侧边；

一第一绝缘层，形成于该接合面上，并且该第一绝缘层具有一第一开孔以及一辅助孔，用以分别显露出该第一焊垫与该辅助垫；

至少一第一凸块下金属层，形成于该第一绝缘层上，该第一凸块下金属层经由该第一开孔与该辅助孔分别连接至该第一焊垫与该辅助垫；以及

至少一细长凸块，凸起状设置于该第一凸块下金属层上，该细长凸块具有一凸块部以及一延伸部，该细长凸块邻近于该第一侧边，而该延伸部相对于该凸块部是远离该第一侧边，其中该凸块部位于该第一焊垫上，该延伸部连接该凸块部并位于该第一绝缘层上，并且该细长凸块的延伸部长度不小于该细长凸块的凸块部长度的百分之八十，且该细长凸块的延伸部覆盖该辅助垫并具有一根部，该根部位于该辅助孔内，以植接至该辅助垫，该细长凸块的宽度小于该第一焊垫的宽度而大于该第一开孔的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该辅助垫为尺寸小于该第一焊垫的独立垫。

3.如权利要求1所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中所述线路穿过该第一焊垫与该辅助垫之间的间隙。

4.如权利要求3所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该第一绝缘层在该第一焊垫与该辅助垫之间的上表面形成有一凹槽，以使该第一凸块下金属层具有对应凹痕。

5.如权利要求1所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，另包含一第二绝缘层，形成于该接合面与该第一绝缘层之间，并覆盖该第一焊垫的周边、该些线路以及该辅助垫的周边，并且该第二绝缘层的厚度小于该第一绝缘层的厚度。

6.如权利要求1至5任一项所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该细长凸块的顶部呈渐缩态样且该细长凸块的数量为多个，以分别与多个接触电极接合，该接触电极周缘具有向该细长凸块方向凸伸的导引结合部及倾斜设置于该导引结合部的导引面，该细长凸块的顶部渐缩态样能够与该导引面契合对接在一起，其凸块间距为27微米以下，该细长凸块的长度介于80微米至200微米，该细长凸块的宽度介于8微米至15微米，该细长凸块的高度介于2微米至50微米。

7.如权利要求1所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，另包含：

至少一第二焊垫，设置于该接合面上，该第一绝缘层另具有一第二开孔，用以显露出该第二焊垫；

至少一第二凸块下金属层，形成于该第一绝缘层上，该第二凸块下金属层经由该第二开孔连接至该第二焊垫；以及

至少一正规凸块，凸起状设置于该第二凸块下金属层上。

8.如权利要求7所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该装置主体更具有一相对于该第一侧边的第二侧边，该正规凸块邻近于该第二侧边。

9.如权利要求1所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该第一绝缘层的该第一开孔为一狭槽孔，该狭槽孔的延长方向与该细长凸块的该延伸部的延伸方向相同。

10.如权利要求9所述的半导体装置的凸块结构，其特征在于，其中该第一开孔的宽度介于3微米至10微米，该第一开孔的长度介于10微米至80微米，而该辅助孔的开口尺寸介于3×3平方微米至10×10平方微米。