[发明专利]扇出型封装结构及封装方法在审
申请号: | 202011626286.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112820706A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李尚轩 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/50 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 刘进 |
地址: | 226017 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型 封装 结构 方法 | ||
1.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括芯片,所述芯片上设置多个焊盘,所述芯片未设所述焊盘的面包覆有封装材料;
第一介电层,设置在所述芯片设有所述焊盘的面上,所述第一介电层上设有第一通孔,所述第一通孔暴露部分所述焊盘;
第二介电层,设置在所述第一介电层上,所述第二介电层上设有第二通孔,所述第二通孔暴露所述第一通孔;
重布线金属层,设置在所述第二介电层上且填充所述第一通孔和所述第二通孔;
多个锡球,间隔设置在所述重布线金属层上。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第二通孔孔径大于等于所述第一通孔孔径。
3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一通孔为锥孔或者直孔,所述第二通孔为锥孔或者直孔。
4.根据权利要求1-3任一所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一介电层和所述第二介电层的厚度均为5μm-22μm。
5.根据权利要求4所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一通孔和所述第二通孔截面为圆形。
6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一通孔和所述第二通孔共轴设置。
7.一种权利要求1-6任一所述的扇出型封装方法,其特征在于,包括步骤:
提供一芯片,所述芯片上设置有多个焊盘;
在所述芯片设置所述焊盘的面上设有第一介电层,在所述第一介电层上开第一通孔;
在所述第一介电层上设有第二介电层,在所述第二介电层上开第二通孔;
在所述第二介电层上形成重布线金属层,所述重布线金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔设置;
在所述重布线金属层上设置锡球。
8.根据权利要求7所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述在所述芯片设置所述焊盘的面上设有第一介电层前还包括步骤:
在所述芯片未设所述焊盘的面进行封装,所述封装材料包覆所述芯片未设所述焊盘的面。
9.根据权利要求7所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述焊盘部分露出所述第一通孔设置;
所述第一通孔露出所述第二通孔设置。
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