[发明专利]一种导电型碳化硅单晶及其制备方法有效
| 申请号： | 202011536526.3 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112725893B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘春俊;雍庆;娄艳芳;赵宁;姚静;王波;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
1.一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素为氮和钒；
所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；
所述钒的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到0.8％；
所述导电型碳化硅单晶的穿透螺位错密度小于200cm-2，基平面位错密度小于100cm-2，总位错密度小于2000cm-2。
2.根据权利要求1所述的导电型碳化硅单晶，其特征在于，所述电阻率为0.03Ω·cm～0.04Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的导电型碳化硅单晶，其特征在于，所述氮元素的掺杂浓度为1×1018cm-3～5×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的导电型碳化硅单晶，其特征在于，穿透螺位错密度小于100cm-2，基平面位错密度小于50cm-2，总位错密度小于1000cm-2。
5.一种如权利要求1所述的导电型碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：
在氮气和氩气的混合气氛中，使碳化硅混合粉料升华，在碳化硅籽晶的碳面进行晶体生长，得到导电型碳化硅晶体；
所述碳化硅混合粉料包括碳化硅粉料和钒的单质或者化合物；
所述钒的单质或者化合物的质量为所述碳化硅粉料质量的0.01％～0.08％。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述晶体生长过程中，参数控制如下：
(1)将压力升至20～80Kpa，将碳化硅混合粉料处的温度升温至2000～2500℃，保温1～5小时；
(2)将压力降至50～5000Pa，保持50～200小时，进行晶体生长；
(3)将压力升至20～80Kpa，进行冷却，得到导电型碳化硅晶体。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述阶段(1)中，籽晶处的温度比所述碳化硅混合粉料处的温度低100～200℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司，未经北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011536526.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子设备
- 下一篇：一种履带式行走伸缩皮带机
