[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域的顶表面比所述第一杂质区域的顶表面高；

器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；

第一接触塞，与所述第一杂质区域接触，并且具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；

间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；

第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及

第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中，所述第一保护间隔物具有“L”或“J”形截面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中，所述器件隔离图案的一部分介于所述第一保护间隔物与所述第二杂质区域之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

第一导线，与所述第一接触塞接触并在第一方向上跨越所述衬底；

第二导线，在所述衬底中在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并与所述第一杂质区域相邻；以及

封盖图案，与所述第二导线接触并介于所述第二导线与所述第一导线之间，

其中，所述第一接触塞的底表面低于所述封盖图案的顶表面，以及

其中，所述第一保护间隔物包括第一部分，所述第一部分介于所述封盖图案的上侧表面与所述第一接触塞的侧表面之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器器件，还包括：

多晶硅间隔物，介于所述第一保护间隔物与所述第一接触塞之间，

其中，所述多晶硅间隔物包括与所述第一接触塞相同的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器器件，还包括：

第一缓冲层，介于所述封盖图案与所述第一导线之间，

其中，所述第一缓冲层的侧表面与相邻的所述覆盖图案的上侧表面不对准。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器器件，还包括：

第二缓冲层，介于所述第一缓冲层与所述第一导线之间，

其中，所述第一保护间隔物还包括第二部分，所述第二部分介于所述第一接触塞的侧表面与所述第一缓冲层的侧表面之间以及所述第一接触塞的侧表面与所述第二缓冲层的侧表面之间。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器器件，

其中，所述第二缓冲层的侧表面朝向所述第一接触塞延伸超过所述第一缓冲层的侧表面，

其中，所述第一保护间隔物还包括突出部分，所述突出部分介于所述封盖图案的顶表面与所述第二缓冲层的底表面之间，以及

其中，所述第一保护间隔物的突出部分与所述第一缓冲层的侧表面接触。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器器件，还包括：

第三缓冲层，介于所述第二缓冲层与所述第一导线之间，

其中，所述第一缓冲层至所述第三缓冲层包括彼此不同的材料。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器器件，

其中，所述第一保护间隔物与所述第一缓冲层的侧表面、所述第二缓冲层的侧表面和所述第三缓冲层的侧表面接触。