[发明专利]一种芯片封装结构及封装方法

说明书

本发明提供一种芯片封装结构及封装方法，芯片封装结构包括：第一基片，所述第一基片具有第一表面，所述第一基片中具有容纳槽，所述容纳槽朝向第一表面；位于所述容纳槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的侧壁与所述容纳槽的侧壁之间的间隔区域为第一微流道。把芯片填充件置于容纳槽中，芯片填充件的侧壁可以通过第一微流道进行散热，芯片四周散热效果较好，提高了芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片封装结构及封装方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的发展，高密度微电子组装技术在新 一代电子产品上逐渐成为主流，在工业技术水平的发展下，人们对于电子 元件的散热性能也提出了更为严格的要求。在芯片领域，芯片尺寸的不断 减小，芯片集成度的不断提高，封装密度也越来越高，使得单位体积芯片 的功耗急剧增大，芯片的温度急剧升高，导致芯片的可靠性降低，影响芯 片的正常工作，芯片的散热问题已经成为电子设备正常运行的关键要素， 而微流道散热是非常有效的解决方案。

现有技术中芯片封装结构的散热能力较差。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中芯片微流道散热 效果较差的问题，从而提供一种芯片封装结构及封装方法。

本发明提供一种芯片封装结构，包括：第一基片，所述第一基片具有 第一表面，所述第一基片中具有容纳槽，所述容纳槽朝向第一表面；位于 所述容纳槽中的芯片填充件，所述芯片填充件的侧壁与所述容纳槽的侧壁 之间的间隔区域为第一微流道。

可选的，还包括：支撑件，所述支撑件位于所述容纳槽中且位于所述 芯片填充件背向第一表面的一侧；位于所述支撑件的侧部且位于所述芯片 填充件与所述容纳槽的底面之间的间隔区域为第二微流道，所述第二微流 道与所述第一微流道贯通。

可选的，所述第一基片中还具有第三微流道，且所述第三微流道位于 所述第二微流道背向所述芯片填充件的一侧；所述芯片填充件中具有延伸 在部分厚度的芯片填充件中的第四微流道；所述第二微流道分别与第三微 流道和所述第四微流道连通。

可选的，所述芯片填充件包括芯片本体和位于芯片本体背向所述第一 表面一侧的填充基片；所述第四微流道位于所述填充基片中且与所述芯片 本体间隔；所述支撑件与所述填充基片接触。

可选的，还包括：位于所述芯片本体和所述填充基片之间的散热层； 所述第四微流道位于所述填充基片中且与所述散热层间隔，或者所述第四 微流道位于所述填充基片中且延伸至散热层背向所述芯片本体一侧的表 面。

可选的，所述散热层的材料包括银浆、导热硅脂或石墨。

可选的，所述芯片填充件仅包括芯片本体；所述支撑件与所述芯片本 体的背面接触；所述芯片本体包括芯片衬底和芯片器件层，所述芯片衬底 背向所述芯片器件层的表面为芯片本体的背面；所述第四微流道位于所述 芯片衬底中且与所述芯片器件层间隔。

可选的，所述芯片填充件包括芯片本体；所述芯片封装结构还包括： 朝向所述第一表面且与所述芯片本体电学连接的第一互连结构；转接板， 所述转接板位于所述第一互连结构背向所述第一基片的一侧表面；贯穿所 述转接板的第一导电插塞，所述第一导电插塞通过所述第一互连结构与所 述芯片本体电学连接。

可选的，还包括：若干个子封装结构，每个子封装结构均包括第一基 片、芯片填充件、转接板、第一互连结构、第一导电插塞和第一微流道； 若干个子封装结构上下键合在一起，对于位于相邻的两个第一基板之间的 转接板，所述转接板的上表面和下表面均与第一基片键合。

可选的，每个子封装结构中的芯片填充件在垂直于若干子封装结构堆 叠的水平方向上相互错位。