[发明专利]一种芯片封装结构及封装方法有效
| 申请号: | 202011416545.2 | 申请日: | 2020-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN112542433B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
| 发明(设计)人: | 王全龙;曹立强;王国军;戴风伟 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马吉兰 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
第一基片,所述第一基片具有第一表面,所述第一基片中具有容纳槽,所述容纳槽朝向第一表面;
位于所述容纳槽中的芯片填充件,所述芯片填充件的侧壁与所述容纳槽的侧壁之间的间隔区域为第一微流道;
支撑件,所述支撑件位于所述容纳槽中且位于所述芯片填充件背向第一表面的一侧;位于所述支撑件的侧部且位于所述芯片填充件与所述容纳槽的底面之间的间隔区域为第二微流道,所述第二微流道与所述第一微流道贯通。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一基片中还具有第三微流道,且所述第三微流道位于所述第二微流道背向所述芯片填充件的一侧;
所述芯片填充件中具有延伸在部分厚度的芯片填充件中的第四微流道;
所述第二微流道分别与第三微流道和所述第四微流道连通。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片填充件包括芯片本体和位于芯片本体背向所述第一表面一侧的填充基片;
所述第四微流道位于所述填充基片中且与所述芯片本体间隔;
所述支撑件与所述填充基片接触。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:
位于所述芯片本体和所述填充基片之间的散热层;
所述第四微流道位于所述填充基片中且与所述散热层间隔,或者所述第四微流道位于所述填充基片中且延伸至散热层背向所述芯片本体一侧的表面。
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述散热层的材料包括银浆、导热硅脂或石墨。
6.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片填充件仅包括芯片本体;
所述支撑件与所述芯片本体的背面接触;
所述芯片本体包括芯片衬底和芯片器件层,所述芯片衬底背向所述芯片器件层的表面为芯片本体的背面;
所述第四微流道位于所述芯片衬底中且与所述芯片器件层间隔。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片填充件包括芯片本体;
所述芯片封装结构还包括:
朝向所述第一表面且与所述芯片本体电学连接的第一互连结构;
转接板,所述转接板位于所述第一互连结构背向所述第一基片的一侧表面;
贯穿所述转接板的第一导电插塞,所述第一导电插塞通过所述第一互连结构与所述芯片本体电学连接。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:
若干个子封装结构,每个子封装结构均包括第一基片、芯片填充件、转接板、第一互连结构、第一导电插塞和第一微流道;若干个子封装结构上下键合在一起,对于位于相邻的两个第一基板之间的转接板,所述转接板的上表面和下表面均与第一基片键合。
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构,其特征在于,每个子封装结构中的芯片填充件在垂直于若干子封装结构堆叠的水平方向上相互错位。
10.根据权利要求7-9任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,第一互连结构包括:第一绝缘层和位于第一绝缘层中的第一导电结构;所述导电插塞通过第一导电结构与所述芯片本体电学连接;
所述芯片封装结构还包括:位于所述第一绝缘层中的密封件,密封件与所述芯片本体朝向所述第一互连结构的表面的边缘区域接触,所述密封件与所述第一导电结构间隔。
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