[发明专利]多芯片封装模块及方法

说明书

本发明提供一种多芯片封装模块，包括：两个以上的芯片，所述芯片为对背面经过研磨减薄的芯片；中介板，具有与所述两个以上的芯片的针脚对应的通孔，所述通孔内设置有导电金属；所述两个以上的芯片设置在所述中介板上；金属层，通过电镀、蒸镀或沉积设置在所述一个以上的芯片背面。本发明能够加快芯片的散热速度，降低芯片的工作温度，确保芯片的工作性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种多芯片封装模块及方法。

背景技术

2.5D的封装技术是将不同尺寸及功能的芯片封装到同一个中介板的基板上。通常这类芯片的功耗较高，功耗密度比较大。散热器的界面材料通常采用导热硅脂或铟片(无法焊接，只是接触)，热阻均较大，在应用中必须使用更大体积的散热器，因此，需要更高的风速，更多的能耗。另外，由于芯片的结温更高，较难提升主频，特别是采用液冷散热时，由于液体易沾污无法采用导热硅脂，所以必须采用铟片，但由于铟片与硅不是同相介质，在液体中接触不好，由此带来的散热问题通常更棘手。

发明内容

本发明提供的多芯片封装模块及方法，能够减小散热器界面的热阻，提高散热效果。

第一方面，本发明提供一种多芯片封装模块，包括：

两个以上的芯片，所述芯片为对背面经过研磨减薄的芯片；

中介板，具有与所述两个以上的芯片的针脚对应的通孔，所述通孔内设置有导电金属；所述两个以上的芯片设置在所述中介板上；

金属层，通过电镀、蒸镀或沉积设置在所述一个以上的芯片背面。

可选地，所述金属层包括：

粘结层，设置在所述两个以上的芯片背面；

背金层，设置在所述粘结层背离所述芯片的表面上。

可选地，所述两个以上的芯片包括：

逻辑运算芯片；

至少一个缓存芯片，环绕所述逻辑运算芯片设置；

所述逻辑运算芯片和所述缓存芯片的背面设置在同一平面内。

可选地，所述两个以上的芯片还包括：

无功能芯片，设置在逻辑运算芯片和缓存芯片的区域，以使所述逻辑运算芯片、缓存芯片和所述无功能芯片排列为矩形；所述无功能芯片、逻辑运算芯片和缓存芯片的背面设置在同一平面内。

可选地，还包括：

基板，具有与所述中介板的对应的焊接底座，所述焊接底座用于与所述通孔中的金属焊接，以使所述基板与所述芯片电连接；

固定机构，设置在所述基板上，用于限制所述中介板或所述基板的形变。

第二方面，本发明提供一种多芯片封装方法，包括：

将两个以上的芯片针脚与中介板通孔中的金属进行焊接；以形成第一预封装结构；

将所述第一预封装结构中的芯片背面进行研磨，以形成第二预封装结构；

在所述第二预封装结构的芯片背面沉积或电镀金属层，以形成多芯片封装结构。

可选地，还包括：

对所述第二预封装结构的中介板背离所述芯片的表面进行研磨，以使所述通孔中的金属暴露。

可选地，在所述通孔中的金属暴露之后，还包括：

将所述暴露的金属与基板上的焊盘106进行焊接，以使所述芯片与所述基板形成电连接。

可选地，将所述第一预封装结构中的芯片背面进行研磨之后还包括：