[发明专利]多芯片封装模块及方法

权利要求书

1.一种多芯片封装模块，其特征在于，包括：

两个以上的芯片，所述芯片为对背面经过研磨减薄的芯片；

中介板，具有与所述两个以上的芯片的针脚对应的通孔，所述通孔内设置有导电金属；所述两个以上的芯片设置在所述中介板上；

金属层，通过电镀、蒸镀或沉积设置在所述两个以上的芯片背面。

2.根据权利要求1所述多芯片封装模块，其特征在于，所述金属层包括：

粘结层，设置在所述两个以上的芯片背面；

背金层，设置在所述粘结层背离所述芯片的表面上。

3.根据权利要求1所述多芯片封装模块，其特征在于，所述两个以上的芯片包括：

逻辑运算芯片；

至少一个缓存芯片，环绕所述逻辑运算芯片设置；

所述逻辑运算芯片和所述缓存芯片的背面设置在同一平面内。

4.根据权利要求3所述多芯片封装模块，其特征在于，所述两个以上的芯片还包括：

无功能芯片，设置在逻辑运算芯片和缓存芯片的区域，以使所述逻辑运算芯片、缓存芯片和所述无功能芯片排列为矩形；所述无功能芯片、逻辑运算芯片和缓存芯片的背面设置在同一平面内。

5.根据权利要求1所述多芯片封装模块，其特征在于，还包括：

基板，具有与所述中介板的对应的焊接底座，所述焊接底座用于与所述通孔中的金属焊接，以使所述基板与所述芯片电连接；

固定机构，设置在所述基板上，用于限制所述中介板或所述基板的形变。

6.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：

将两个以上的芯片针脚与中介板通孔中的金属进行焊接；以形成第一预封装结构；

将所述第一预封装结构中的芯片背面进行研磨，以形成第二预封装结构；

在所述第二预封装结构的芯片背面沉积或电镀金属层，以形成多芯片封装结构。

7.根据权利要求6所述多芯片封装方法，其特征在于，还包括：

对所述第二预封装结构的中介板背离所述芯片的表面进行研磨，以使所述通孔中的金属暴露。

8.根据权利要求7所述多芯片封装方法，其特征在于，在所述通孔中的金属暴露之后，还包括：

将所述暴露的金属与基板上的焊盘进行焊接，以使所述芯片与所述基板形成电连接。

9.根据权利要求6所述多芯片封装方法，其特征在于，将所述第一预封装结构中的芯片背面进行研磨之后还包括：

采用酸性腐蚀液对研磨后的表面进行腐蚀；

采用碱性的清洗液对腐蚀后的表面进行清洗，以使所述表面形成利于金属连接的硅处理面。

10.根据权利要求6所述多芯片封装方法，其特征在于，在所述第二预封装结构的芯片背面沉积或电镀金属层包括：

在所述芯片背面蒸镀一层粘结层；

在所述粘结层的背离所述芯片的表面蒸镀一层背金层。

11.根据权利要求10所述多芯片封装方法，其特征在于，所述两个以上的芯片包括两个以上的功能芯片组，每个所述功能芯片组包括至少两个芯片；

在所述第二预封装结构的芯片背面沉积或电镀金属层，以形成多芯片封装结构之后还包括：

对所述多芯片封装结构依据所述功能芯片组的分布进行切割，以形成多芯片封装模块。