[发明专利]半导体装置

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有芯片区以及切割线区；第一密封环，设置在所述芯片区与所述切割线区之间，所述第一密封环围绕所述芯片区而设；其中，所述第一密封环内形成有垂直自然电容器，将垂直自然电容器集成在密封环内，使得芯片的集成度更高，节约了空间，达到了芯片的小型化。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置。

背景技术

在半导体芯片的集成电路中，密封环(seal-ring)对芯片的可靠性影响很大，传统的半导体芯片包含有一集成电路区与布局在半导体芯片外围的密封环。其中，集成电路区可包含各种电子装置，例如形成于一基底的被动元件与主动元件。密封环介于晶圆的切割道(Scrbe Lane，SL)和集成电路区(circuit Region)之间。当沿着切割道进行晶圆切割工艺时，密封环可以阻挡由上述晶圆切割工艺造成的从切割道至芯片的不想要的应力扩展与破裂。并且，芯片半导体装置还具有抵抗气液侵蚀能力，可以阻挡水汽或其他化学污染源的渗透与损害。

一般来说，传统的半导体芯片在应用时，其电压输入端Vdd必须连接到外部一电压源Vcc，并且需要额外连接一稳压电容C1来稳定输入的电压。因此，传统的半导体芯片在应用上需要额外连接稳压电容，此点将造成额外的成本，同时也增加了半导体芯片外部线路上的复杂度，导致半导体芯片无法做到小型化。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种半导体装置，以解决器件集成度低的问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种半导体装置，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有芯片区以及切割线区；

第一密封环，设置在所述芯片区与所述切割线区之间，所

述第一密封环围绕所述芯片区而设；

其中，所述第一密封环内形成有垂直自然电容器。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了本申请一个实施例中第一、第二密封环的剖视图；

图2示出了本申请一个实施例中第一、第二密封环的俯视图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。