[发明专利]芯片封装结构及其形成方法在审
申请号: | 202011109964.1 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112670187A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 季昕;许桀豪;张国钦;林政男;李明机 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/367 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 韩旭;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
根据一些实施例,提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括在一基板之上设置一芯片。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。散热壁结构邻近于芯片,且在芯片与散热壁结构之间有一第一间隙。此方法包括在第一间隙中形成一第一导热层。此方法包括在芯片之上形成一第二导热层。此方法包括在基板之上设置一散热罩,以覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。散热罩接合至基板、散热壁结构、第一导热层以及第二导热层。还提供了一种芯片封装结构。
技术领域
本公开的一些实施例涉及半导体封装。
背景技术
半导体装置在各种电子应用被使用,例如,个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。为了形成电路组件以及元件,通常通过在半导体基板之上按序地沉积绝缘物或介电层、导电层以及半导体层,并利用光微影工艺以及蚀刻工艺来图案化各种材料层而制造出半导体装置。
在单一半导体晶圆上,通常制造出数以十计或数以百计的集成电路。通过沿着切割道(scribe lines)切割集成电路(integrated circuit,IC)而分割出个别的晶粒。然后,单独地封装个别的晶粒。通过持续降低最小特征尺寸,其允许在给定面积中整合更多的组件,半导体产业持续改善各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度。然而,因为特征尺寸持续降低,制造工艺持续变得更难以执行。因此,形成具有高集成密度的电子组件的可靠的封装是具挑战性的。
发明内容
根据一些实施例,提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括在一基板之上设置一芯片。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。散热壁结构邻近于芯片,且在芯片与散热壁结构之间有一第一间隙。此方法包括在第一间隙中形成一第一导热层。此方法包括在芯片之上形成一第二导热层。此方法包括在基板之上设置一散热罩,以覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。散热罩接合至基板、散热壁结构、第一导热层以及第二导热层。
根据一些实施例,提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括将一芯片接合至一基板。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。此方法包括在芯片之上以及在芯片与散热壁结构之间形成一导热层。此方法包括将一散热罩接合至基板、散热壁结构以及导热层。
根据一些实施例,提供了一种芯片封装结构。芯片封装结构包括一基板、一芯片、一散热壁结构、一第一导热层、一第二导热层以及一散热罩。芯片在基板之上。散热壁结构在基板之上,并与芯片分隔。第一导热层在散热壁结构与芯片之间。第二导热层,在芯片之上。散热罩在基板之上,并覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。
附图说明
当阅读说明书附图时,从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是,各种特征并不一定按照比例绘制。事实上,可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸,以做清楚的说明。
图1A至图1E是根据一些实施例来形成芯片封装结构的工艺的各种阶段的剖面图。
图1B-1是根据一些实施例的图1B的芯片封装结构的俯视图。
图1C-1是根据一些实施例的图1C的芯片封装结构的俯视图。
图1D-1是根据一些实施例的图1D的芯片封装结构的俯视图。
图1E-1是根据一些实施例的图1E的芯片封装结构的俯视图。
图2A是根据一些实施例的芯片封装结构的俯视图。
图2B是示出根据一些实施例的沿着图2A中的剖面线I-I’的芯片封装结构的剖面图。
图3是根据一些实施例的芯片封装结构的俯视图。
图4是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
图5A是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造