[发明专利]半导体部件和生产半导体部件的方法

说明书

本发明涉及半导体部件和生产半导体部件的方法，该半导体部件包括半导体主体，其具有第一主侧、第二主侧和边缘，其中半导体主体具有第一半导体区，其中第一半导体区在边缘区域中一直延伸到第二主侧，其中半导体主体具有第二半导体区，第二半导体区在半导体主体的内部区域中布置在第一区上且未一直延伸到边缘，其中半导体主体具有布置在第二区中的第三半导体区，并且包括布置在第二主侧上的第一绝缘层区域，包括布置在第一绝缘层区域上的电阻导体迹线，包括与第三区和电阻导体迹线导电接触的第一金属化部，包括与电阻导体迹线导电接触并且以借助第一绝缘层区域与第二主侧电绝缘的方式布置的第二金属化部，并且包括与第一区导电接触的第三金属化部。

技术领域

本发明涉及半导体部件和用于生产这方面的半导体部件的方法。

背景技术

在电力电子领域，功率半导体开关用于产生电流和电压。在此情况下，相应功率半导体开关的控制端子由驱动器驱动，该驱动器产生用于驱动功率半导体开关的驱动电压。作为本领域的常规做法，电阻器连接在驱动器与功率半导体开关的控制端子之间。此外，本领域的常规作法是，为了保护功率半导体开关的控制端子免受过电压损坏，双向抑制二极管电连接在功率半导体开关的控制端子与功率半导体开关的负载端子之间。到此，图5仅涉及电路图，示出了包括功率半导体开关T、驱动器40、电阻器R和双向抑制二极管SD的这种布置结构。

EP 2 413 354 A1公开了以集成到公共半导体部件中的方式形成电阻器R和抑制二极管SD。在此情况下不利的是，半导体部件仅具有较低的介电强度，这是因为在半导体部件的半导体主体的半导体主体边缘处由于pn结一直延伸到半导体主体边缘而会出现高电场强度，而所述高电场强度会引起电跳火(electrical flashovers)，或引起单片集成在半导体主体中的抑制二极管的不明确电特性。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种半导体部件，该半导体部件包括电阻器并且包括以集成方式形成在半导体部件的半导体主体中的双向抑制二极管，其中在半导体主体的半导体主体边缘不出现高电场强度。

该目的通过一种半导体部件来实现，该半导体部件包括半导体主体，该半导体主体具有在第一平面中延伸的第一半导体主体主侧、与第一半导体主体主侧相对布置并在第二平面中延伸的第二半导体主体主侧、以及围绕半导体主体周向延伸并连接第一半导体主体主侧和第二半导体主体主侧的半导体主体边缘，其中半导体主体具有第一传导型态的第一半导体区，其中第一半导体区的外表面形成第一半导体主体主侧，其中第一半导体区在半导体主体边缘区域中一直延伸到第二半导体主体主侧，并且第一半导体区的第二外表面形成半导体主体边缘，其中半导体主体具有第二传导型态的第二半导体区，所述第二半导体区在半导体主体的内部区域中布置在第一半导体区上并且未一直延伸到半导体主体边缘，其中半导体主体具有所述第一传导型态的第三半导体区，所述第三半导体区布置在第二半导体区中，其中第二平面平行于第一平面延伸，

并且所述半导体部件包括布置在第二半导体主体主侧上的不导电的第一绝缘层区域，包括布置在第一绝缘层区域上的电阻导体迹线，包括与第三半导体区和电阻导体迹线导电接触的第一金属化部，包括与电阻导体迹线导电接触并且以借助第一绝缘层区域与第二半导体主体主侧电绝缘的方式布置的第二金属化部，并且包括与第一半导体区导电接触的第三金属化部。

此外，该目的通过用于生产根据本发明的半导体部件的方法来实现，其中半导体部件的半导体主体的生产使用以下方法步骤来进行：

a)提供具有第一传导型态的半导体主要主体，

b)通过外延，在半导体主要主体上施加具有第二传导型态的外延层，

c)通过扩散，在外延层中形成第二半导体区、第三半导体区以及第一半导体区的部分，所述部分被布置在半导体主体边缘区域中。

该方法的有利实施例类似于半导体部件的有利实施例，是显而易见的。