[发明专利]半导体部件和生产半导体部件的方法

权利要求书

1.半导体部件，包括半导体主体(2)，所述半导体主体具有在第一平面(E1)中延伸的第一半导体主体主侧(3)、与所述第一半导体主体主侧(3)相对布置并在第二平面(E2)中延伸的第二半导体主体主侧(4)、以及围绕所述半导体主体(2)周向延伸并连接所述第一半导体主体主侧(3)和所述第二半导体主体主侧(4)的半导体主体边缘(28)，其中所述半导体主体(2)具有第一传导型态的第一半导体区(5)，其中所述第一半导体区(5)的外表面(10)形成所述第一半导体主体主侧(3)，其中所述第一半导体区(5)在半导体主体边缘区域(25)中一直延伸至所述第二半导体主体主侧(4)，并且所述第一半导体区(5)的第二外表面(30)形成所述半导体主体边缘(28)，其中所述半导体主体(2)具有第二传导型态的第二半导体区(6)，所述第二半导体区在所述半导体主体(2)的内部区域(IB)中布置在所述第一半导体区(5)上并且未一直延伸到所述半导体主体边缘(28)，其中所述半导体主体(2)具有所述第一传导型态的第三半导体区(7)，所述第三半导体区布置在所述第二半导体区(6)中，其中所述第二平面(E2)平行于所述第一平面(E1)延伸，

并且所述半导体部件包括布置在所述第二半导体主体主侧(4)上的不导电的第一绝缘层区域(8a)，包括布置在所述第一绝缘层区域(8a)上的电阻导体迹线(9)，包括与所述第三半导体区(7)和所述电阻导体迹线(9)导电接触的第一金属化部(11)，包括与所述电阻导体迹线(9)导电接触并且以借助所述第一绝缘层区域(8a)与所述第二半导体主体主侧(4)电绝缘的方式布置的第二金属化部(12)，并且包括与所述第一半导体区(5)导电接触的第三金属化部(13)。

2.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，所述第二半导体区(6)在所述第二半导体区(6)的区域(15)中一直延伸至所述第二半导体主体主侧(4)，所述区域沿所述第一平面(E1)的法线方向(N)的垂直方向布置在所述第三半导体区(7)与所述第一半导体区(5)之间。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，所述第一半导体区(5)具有基本区(5a)，所述基本区的外表面(10)形成所述第一半导体主体主侧(3)，其中所述第一半导体区(5)在所述半导体主体边缘区域(25)中具有第一部分区(5b)和第二部分区(5c)，所述第一部分区(5b)布置在所述基本区(5a)上，所述第二部分区(5c)布置在所述第一部分区(5b)上并且一直延伸至所述第二半导体主体主侧(4)，其中所述第一部分区(5b)的掺杂浓度低于所述基本区(5a)和所述第二部分区(5c)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，所述电阻导体迹线(9)由金属或金属合金形成，特别是由镍铬合金或钽氮合金形成。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，所述电阻导体迹线(9)由多晶硅形成。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，不导电的第二绝缘层区域(8b)在所述第二半导体主体主侧(4)上布置在所述第一半导体区(5)处。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，不导电的覆盖层(16)布置在所述电阻导体迹线(9)上。

8.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，所述半导体部件(1)在所述第二半导体主体主侧(4)的侧部(18)上具有钝化层(20)，所述钝化层具有第一开口(20a)和第二开口(20b)，其中所述第一金属化部(11)的区域布置在所述第一开口(20a)中，并且所述第二金属化部(12)的区域布置在所述第二开口(20b)中。

9.根据权利要求1-2中任一项所述的半导体部件，其特征在于，所述第一金属化部(11)被形成为使得其围绕所述半导体部件(1)的虚拟中心轴线(M)周向延伸，特别是以闭合方式周向延伸。