[发明专利]半导体结构的制作方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，以第一掩膜层为掩膜刻蚀基底形成有源区；在有源区上形成若干分立的位线；在相邻位线之间形成牺牲层；在牺牲层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，且第一掩膜图案和第二掩膜图案互补；以第二掩膜层和位线为掩膜刻蚀牺牲层，形成多个接触孔结构。本发明实施例有利于降低半导体结构的制作成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法。

背景技术

光掩膜版是一种由石英材料制成的，可以用在半导体曝光制程上的母版。光掩膜版的制备成本除包括石英等原材料的成本，还包括光掩膜版写入机的使用成本、检测光掩膜版相关数据的软件、服务器成本以及人工开发成本，因而光掩膜版的制备成本高。

半导体结构的制作步骤包括许多道工序，不同工序中掩膜层所具有的图案往往不同，因而制备掩膜层所需的光掩膜版也不同；所需光掩膜版的数量越多，半导体结构的制作成本越高。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，解决半导体结构制作成本高的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述基底形成有源区；在所述有源区上形成若干分立的位线；在相邻所述位线之间形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，且所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案互补；以所述第二掩膜层和所述位线为掩膜刻蚀所述牺牲层，形成多个接触结构。

另外，形成所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的光掩模版相同。

另外，所述第一掩膜图案包括长条状图形，所述第二掩膜图案包括长条状开口。

另外，所述长条状图形和所述长条状开口呈阵列排布。

另外，所述长条状图形和所述长条状开口的大小和形状一致。

另外，所述长条状图形和所述长条状开口在所述基底上的投影重叠。

另外，所述位线包括盖层，所述盖层位于所述位线的顶部且所述盖层与所述牺牲层具有刻蚀选择性。

另外，利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第一掩膜图案；利用所述第一光掩膜版和所述第二光掩膜版形成所述第二掩膜图案。

另外，所述利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第一掩膜图案，包括：在所述基底上形成未图案化的所述第一掩膜层；利用第一光掩膜版在所述第一掩膜层上形成沿第一方向延伸的第一光刻胶线条；利用所述第一光刻胶线条刻蚀所述第一掩膜层形成第一掩膜线条；利用第二光掩膜版在所述第一掩膜线条上形成沿第二方向延伸的第二光刻胶线条；利用所述第二光刻胶线条刻蚀所述第一掩膜线条形成所述长条状图形。

另外，所述利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第二掩膜图案，包括：在所述牺牲层上形成未图案化的第二掩膜层；在所述第二掩膜层上形成第三掩膜层；利用第一光掩膜版在所述第三掩膜层上形成沿第一方向延伸的第一光刻胶开口；利用所述第一光刻胶开口刻蚀所述第三掩膜层形成第一掩膜开口；利用第二光掩膜版在所述第一掩膜开口上形成沿第二方向延伸的第二光刻胶开口；利用所述第二光刻胶开口和所述第一掩膜开口刻蚀所述第二掩膜层形成所述长条状开口。

另外，形成所述第一光刻胶线条和所述第一光刻胶开口的光刻胶性质不同；形成所述第二光刻胶线条和所述第二光刻胶开口的光刻胶性质不同。

另外，在所述长条状图形侧壁形成修复层。

另外，所述第二掩膜图案在所述基底上的投影完全覆盖所述第一掩膜图案在所述基底上的投影。

另外，所述第二掩膜图案的延伸方向与第一掩膜图案的延伸方向的夹角小于30度。