[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述基底形成有源区；

在所述有源区上形成若干分立的位线；

在相邻所述位线之间形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，且所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案互补；

以所述第二掩膜层和所述位线为掩膜刻蚀所述牺牲层，形成多个接触孔结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的光掩模版相同。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜图案包括长条状图形，所述第二掩膜图案包括长条状开口。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述长条状图形和所述长条状开口呈阵列排布。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述长条状图形和所述长条状开口的大小和形状一致。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述长条状图形和所述长条状开口在所述基底上的投影重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述位线包括盖层，所述盖层位于所述位线的顶部且所述盖层与所述牺牲层具有刻蚀选择性。

8.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第一掩膜图案；利用所述第一光掩膜版和所述第二光掩膜版形成所述第二掩膜图案。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第一掩膜图案，包括：

在所述基底上形成未图案化的所述第一掩膜层；

利用第一光掩膜版在所述第一掩膜层上形成沿第一方向延伸的第一光刻胶线条；

利用所述第一光刻胶线条刻蚀所述第一掩膜层形成第一掩膜线条；

利用第二光掩膜版在所述第一掩膜线条上形成沿第二方向延伸的第二光刻胶线条；

利用所述第二光刻胶线条刻蚀所述第一掩膜线条形成所述长条状图形。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述利用第一光掩膜版和第二光掩膜版形成所述第二掩膜图案，包括：

在所述牺牲层上形成未图案化的第二掩膜层；

在所述第二掩膜层上形成第三掩膜层；

利用第一光掩膜版在所述第三掩膜层上形成沿第一方向延伸的第一光刻胶开口；

利用所述第一光刻胶开口刻蚀所述第三掩膜层形成第一掩膜开口；

利用第二光掩膜版在所述第一掩膜开口上形成沿第二方向延伸的第二光刻胶开口；

利用所述第二光刻胶开口和所述第一掩膜开口刻蚀所述第二掩膜层形成所述长条状开口。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一光刻胶线条和所述第一光刻胶开口的光刻胶性质不同；形成所述第二光刻胶线条和所述第二光刻胶开口的光刻胶性质不同。

12.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：在所述长条状图形侧壁形成修复层。

13.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜图案在所述基底上的投影完全覆盖所述第一掩膜图案在所述基底上的投影。

14.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜图案的延伸方向与第一掩膜图案的延伸方向的夹角小于30度。

15.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案的方法包括：双重图案自对准工艺和反向双重图案自对准工艺中的一种或其组合。