[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

保护区域，其位于该基板上方，该保护区域包括抗化学溶液蚀刻的保护材料；以及

核心结构，其由该保护区域包围，该核心结构包括可被该化学溶液蚀刻的核心材料；

其中，该核心结构具有第一侧和相对于该第一侧的第二侧，该第一侧比该第二侧更靠近该基板，该核心结构在该核心结构的第一侧最窄。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该核心结构为磁。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该核心材料包括钴锆钽、钴锆钽硼、铁钴硼和镍铁中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一侧和该第二侧之间的距离至少为3um。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该保护材料包括光敏聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一侧和该第二侧中的每一个至少基本上是平面的，并且至少基本上彼此平行。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该核心结构在该第一侧和该第二侧之间的平面处最宽。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该最宽的平面从该最宽的平面的外围向该第二侧逐渐变细，且其中，该最宽的平面在距离该外围的一距离处朝该第一侧逐渐变细。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该装置还包括：

电导体区域，其位于该基板和该保护区域之间；

其中，该电导体区域至少部分地设置在该核心结构下方。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置为电感器，其中，该核心结构为磁。

11.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括：

形成保护区域于基板上方，该保护区域包括抗化学溶液蚀刻的保护材料；以及

形成由该保护区域包围的核心结构，该核心结构包括可被该化学溶液蚀刻的核心材料；

其中，该核心结构具有第一侧和相对于该第一侧的第二侧，该第一侧比该第二侧更靠近该基板，且该核心结构在该第一侧处最窄。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成该保护区域包括：

在形成核心结构之前，形成该保护区域的第一层于该基板上方，该第一层包括用于容纳该核心结构的腔体；以及

在形成该核心结构之后，形成该保护区域的第二层于该核心结构和该第一层上方。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成该核心结构包括：

沉积该核心材料于该第一层上方并进入该腔体；

图案化蚀刻掩模于该核心材料上方；以及

使用该化学溶液蚀刻该核心材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该保护区域的该第一层保护该核心结构的侧壁在该核心材料的蚀刻期间不被该化学溶液横向蚀刻。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该蚀刻掩模比该腔体更宽。

16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该核心结构在该第一侧和该第二侧之间的平面处最宽，其中，该最宽的平面从该最宽的平面的外围朝该第二侧逐渐变细，且其中，该最宽的平面在距离该外围的一距离处朝该第一侧逐渐变细。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该核心材料包括钴锆钽、钴锆钽硼、铁钴硼和镍铁中的至少一种。