[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
申请号: | 202010887358.6 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN114122151B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王连红;平尔萱 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/49;H01L21/329 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
本发明涉及半导体技术领域,提出一种半导体器件及其制作方法,该半导体器件包括:衬底、半导体结构、绝缘层、导电层;所述半导体结构位于所述衬底的一侧,包括第一半导体结构和第二半导体结构,所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成PN结;所述绝缘层位于所述半导体结构背离所述衬底的一侧;所述导电层位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧,且所述导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。所述导电层用于减小所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成的PN结的势垒,从而增加在相同电压下所述PN结的电流密度。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。
背景技术
随着二极管的尺寸减小,通过二极管的总电流相应会减小。为了增加小尺寸二极管的总电流,相关技术通常通过将二极管的PN结设置为突变结,从而通过增加二极管相同电压下的电流密度的方式增加其总电流。然而,设置突变结的二极管反向击穿电压小,且反向电流大。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法,该半导体器件能够增加其PN结相同电压下的的电流密度。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或区分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一个方面,提供一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底、半导体结构、绝缘层、导电层;所述半导体结构位于所述衬底的一侧,包括第一半导体结构和第二半导体结构,所述第一半导体结构和第二半导体结构形成PN结;绝缘层位于所述半导体结构背离所述衬底的一侧;导电层位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧,且所述导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合;其中,所述导电层用于减小所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成的PN结的势垒。
本发明公开的一种示例性实施例中,所述导电层包括第一导电层和第二导电层。
本发明公开的一种示例性实施例中,所述第一导电层在所述衬底的正投影位于所述第一半导体结构在所述衬底的正投影上,且所述第一导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合;所述第二导电层在所述衬底的正投影位于所述第二半导体结构在所述衬底的正投影上,且所述第二导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。
本发明公开的一种示例性实施例中,当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时,所述第一导电层材料的费米能级小于所述第一半导体结构材料的费米能级,所述第二导电层材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级;
当所述第一半导体结构材料的费米能级小于所述第二半导体结构材料的费米能级时,所述第一导电层材料的费米能级大于所述第一半导体结构材料的费米能级,所述第二导电层材料的费米能级小于所述第二半导体结构材料的费米能级。
本发明公开的一种示例性实施例中,当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时,所述第一导电层材料、第二导电层材料的费米能级均大于第一半导体结构材料的费米能级,且第一导电层材料的费米能级减去第一半导体结构材料的费米能级的差小于第二导电层材料的费米能级减去第二半导体结构材料的费米能级的差。
本发明公开的一种示例性实施例中,当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时,所述第一导电层材料、第二导电层材料的费米能级均小于第一半导体结构材料的费米能级,且第一半导体结构材料的费米能级减去第一导电层材料的费米能级的差大于第二半导体结构材料的费米能级减去第二导电层材料的费米能级的差。
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