[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

半导体结构，位于所述衬底的一侧，所述半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成PN结；

绝缘层，位于所述半导体结构背离所述衬底的一侧；

导电层，位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合；

其中，所述导电层用于减小所述第一半导体结构和所述第二半导体结构形成的PN结的势垒。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一导电层在所述衬底的正投影位于所述第一半导体结构在所述衬底的正投影上，且所述第一导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合；

所述第二导电层在所述衬底的正投影位于所述第二半导体结构在所述衬底的正投影上，且所述第二导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时，所述第一导电层材料的费米能级小于所述第一半导体结构材料的费米能级，所述第二导电层材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时，所述第一导电层材料、第二导电层材料的费米能级均大于第一半导体结构材料的费米能级，且第一导电层材料的费米能级减去第一半导体结构材料的费米能级的差小于第二导电层材料的费米能级减去第二半导体结构材料的费米能级的差。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时，所述第一导电层材料、第二导电层材料的费米能级均小于第一半导体结构材料的费米能级，且第一半导体结构材料的费米能级减去第一导电层材料的费米能级的差大于第二半导体结构材料的费米能级减去第二导电层材料的费米能级的差。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层仅包括第一导电层，所述第一导电层在所述衬底的正投影位于所述第一半导体结构在所述衬底的正投影上，且所述第一导电层在所述衬底的正投影与所述PN结在所述衬底的正投影至少部分重合。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

当所述第一半导体结构材料的费米能级大于所述第二半导体结构材料的费米能级时，所述第一导电层材料的费米能级小于所述第一半导体结构材料的费米能级；

当所述第一半导体结构材料的费米能级小于所述第二半导体结构材料的费米能级时，所述第一导电层材料的费米能级大于所述第一半导体结构材料的费米能级。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构的材料为N型半导体，所述第二半导体结构的材料为P型半导体。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层为掺杂P型离子的多晶硅导体，所述第二导电层为掺杂N型离子的多晶硅导体。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述PN结由位于所述第一半导体结构的第一结构部和位于所述第二半导体结构的第二结构部组成，所述第一导电层在所述衬底的正投影覆盖所述第一结构部在所述衬底的正投影。