[发明专利]发光二极管及其制作方法以及显示屏

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

依次层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流扩散层；

第一接触电极，与所述第一半导体层接触连接；

第二接触电极，与所述电流扩散层接触连接；

多个微结构，沿所述发光层和所述第二半导体层的层叠方向贯穿所述发光层和所述第二半导体层，每个所述微结构均开设有钻孔空间，所述钻孔空间的相对两端分别由所述第一半导体层和所述电流扩散层封闭，其中，每个所述微结构包括第一钻孔和第二钻孔，所述第二钻孔围绕所述第一钻孔的外侧并与所述第一钻孔间隔预定距离，每个所述第一钻孔和每个所述第二钻孔均沿所述层叠方向贯穿所述第二半导体层和所述发光层，且所述第一钻孔和所述第二钻孔的相对两端均分别被所述第一半导体层与所述电流扩散层封闭；以及

量子点，填充于多个所述微结构的所述第一钻孔和所述第二钻孔内。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个所述微结构的横截面均为环形，所述第二钻孔的尺寸大于所述第一钻孔的尺寸。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层包括多层量子阱层和多层量子垒层，多层所述量子阱层和多层所述量子垒层沿着所述层叠方向交替层叠。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，每个所述微结构还包括形成于所述第一钻孔与所述第二钻孔之间的止挡壁，每层所述量子阱层被所述微结构隔断，设置于所述止挡壁内的部分所述量子阱层形成了蓝光铟氮化稼量子阱层，设置于所述微结构外的部分所述量子阱层形成了绿光铟氮化稼量子阱层，所述量子点为红色量子点。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一钻孔和所述第二钻孔为圆形孔、正方形孔、长方形孔、三角形孔和菱形孔中的任意一种。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述量子阱层为蓝光铟氮化稼量子阱层，所述量子点为绿色量子点。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，多层所述量子阱层为掺杂有铝的铟氮化稼层，多层所述量子垒层为氮化镓层；所述电流扩散层由透明导电氧化物薄膜材料制成，所述第一半导体层为掺入硅杂质的n型氮化镓层，所述第二半导体层制作在所述发光层上，其为掺入镁杂质的p型氮化镓层；所述第一接触电极为n型欧姆接触电极，其由钛或铝制成，所述第二接触电极制作在所述电流扩散层上，其为p型欧姆接触电极，所述第二接触电极由镍或金制成。

8.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供基底层；

在所述基底层上成长第一半导体层；

在所述第一半导体层上成长发光层；

在所述发光层上成长第二半导体层；

在所述发光层和所述第二半导体层内制作多个微结构，并在所述微结构内填充量子点；

在所述第二半导体层上依次成长电流扩散层和第二接触电极并将所述量子点封闭于多个所述微结构内，其中，每个所述微结构包括第一钻孔和第二钻孔，所述第二钻孔围绕所述第一钻孔的外侧并与所述第一钻孔间隔预定距离，每个所述第一钻孔和每个所述第二钻孔均贯穿所述第二半导体层和所述发光层，且所述第一钻孔和所述第二钻孔的相对两端均分别被所述第一半导体层与所述电流扩散层封闭；

移除所述基底层，并在所述第一半导体层对应所述基底层所在位置镀上第一接触电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述发光层包括多层量子阱层和多层量子垒层，多层所述量子阱层和多层所述量子垒层交替层叠，所述在所述发光层和所述第二半导体层内制作多个微结构，并在所述微结构内填充量子点，包括：

沿所述发光层和所述第二半导体层的层叠方向开设贯穿所述发光层和所述第二半导体层的第一钻孔；

沿所述发光层和所述第二半导体层的层叠方向开设贯穿所述发光层和所述第二半导体层的第二钻孔，其中，所述第二钻孔围绕所述第一钻孔的外侧并与所述第一钻孔间隔预定距离；

在所述第一钻孔和所述第二钻孔内填充所述量子点。

10.一种显示屏，其特征在于，包括显示面板以及多个如权利要求1-7任意一项所述的发光二极管，多个所述发光二极管固定在所述显示面板上，并与所述显示面板电性连接。