[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本公开的一些实施例提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及第二半导体装置设置在中介基板上方，其中第一半导体装置以及第二半导体装置是不同类型的电子装置。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。

技术领域

本公开的一些实施例涉及半导体封装。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经经历了快速的成长。半导体制造制程中不断的进步使得半导体装置具有更精细的特征及/或更高的集成程度。功能密度(亦即，每单位芯片面积的内连线结构的数量)通常增加，而特征尺寸(亦即，使用制造制程所能产生的最小部件)则缩小。这样的尺寸微缩化制程通常通过增加制造效率以及降低相关成本提供益处。

芯片封装不仅为半导体装置提供保护，以免受到环境污染，而且，亦为封装在其中的半导体装置提供连接界面。已经发展出利用更少的面积或更低的高度的更小的封装结构来封装半导体装置。

尽管现有的封装技术已经通常适于其所欲实现的目的，不过现有的封装技术并非在所有方面皆全然地令人满意。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供了一种封装结构。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及第二半导体装置设置在中介基板上方，其中第一半导体装置以及第二半导体装置是不同类型的电子装置。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。

根据本公开的一些实施例，提供了一种封装结构。封装结构包括一封装基板、一中介基板、一第一半导体装置、一第二半导体装置、一覆盖膜以及一保护层。中介基板设置在封装基板上方。第一半导体装置以及一第二半导体装置设置在中介基板上方。覆盖膜形成在第一半导体装置的一顶表面上。保护层形成在中介基板上方，以包围第一半导体装置、覆盖膜以及第二半导体装置。第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。

根据本公开的一些实施例，提供了一种形成封装结构的方法，方法包括堆叠设置在一封装基板上方的一中介基板。方法亦包括在中介基板上方设置一第一半导体装置以及一第二半导体装置。方法进一步包括在中介基板上方形成一保护层，以包围第一半导体装置以及第二半导体装置。除此之外，方法包括移除保护层的一部分，使得第二半导体装置自保护层暴露，而第一半导体装置并未自保护层暴露。

附图说明

当阅读附图时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，各种特征并不一定按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。

图1A至图1E是根据一些实施例来形成封装结构的制程的各种阶段的剖面图。

图2A至图2C是根据一些实施例来形成封装结构的制程的各种阶段的剖面图。

图3是根据一些实施例的封装结构的剖面图。

图4是根据一些实施例的封装结构的剖面图。

图5是根据一些实施例的封装模块的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

100：承载基板

102：封装基板，重分布基板

104：绝缘层

106，114：导电特征

108，120，122：导电元件

110：中介基板