[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本发明提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括完整晶粒区和非完整晶粒区；在所述衬底上形成叠层，所述叠层包括牺牲层和支撑层；在所述叠层上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层曝光，显影后去除所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层；以所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层为掩膜对所述叠层进行刻蚀。本发明实施例提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，以解决半导体结构形成过程中，晶圆边缘容易出现塌陷和剥落的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着制程工艺持续演进，DRAM集成度不断提高，元件横向尺寸不断地微缩，使得电容器具有较高的纵横比，制作工艺愈加困难。具体的，在加工过程中，晶圆边缘区域的非完整晶粒区中的图形在刻蚀过程中会出现塌陷和剥落的风险，造成晶圆污染以及处理晶圆的工艺腔体的污染，降低了产品的良率。

发明内容

本发明实施例提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，以解决半导体结构形成过程中，晶圆边缘容易出现塌陷和剥落的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括完整晶粒区和非完整晶粒区；在所述衬底上形成叠层，所述叠层包括牺牲层和支撑层；在所述叠层上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层曝光，显影后去除所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层；以所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层为掩膜对所述叠层进行刻蚀。

可选地，还包括：在所述叠层上形成第一掩膜层，所述第一光刻胶层位于所述第一掩膜层上；以所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀；以所述第一掩膜层为掩膜对所述叠层进行刻蚀。

可选地,所述第一掩膜层包括多层膜结构。

可选地,所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

可选地，采用步进曝光方式对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

可选地，所述步进曝光方式无需使用光掩膜版，所述步进曝光方式的光斑至少能够覆盖单个完整晶粒。

可选地，所述步进曝光方式的光斑面积小于单个曝光单元的面积。

可选地，所述步进曝光方式的光斑刚好完全覆盖单个完整晶粒。

可选地，所述对所述第一光刻胶层曝光，包括：对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光，通过显影在所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层上形成第一图案；对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光，通过显影去除所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层。

可选地，所述对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光先于所述对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

可选地，利用光掩膜版对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光；对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光无需使用光掩膜版。

可选地，通过浸没式光刻机或极紫外光刻机对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光；通过I-line光刻机或KrF光刻机对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

可选地，还包括：通过刻蚀将所述完整晶粒区的所述第一图案转移到所述第一掩膜层以及去除所述非完整晶粒区的所述第一掩膜层。