[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括完整晶粒区和非完整晶粒区；

在所述衬底上形成叠层，所述叠层包括牺牲层和支撑层；

在所述叠层上形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层曝光，显影后去除所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层；

以所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层为掩膜对所述叠层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述叠层上形成第一掩膜层，所述第一光刻胶层位于所述第一掩膜层上；

以所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀；

以所述第一掩膜层为掩膜对所述叠层进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

所述第一掩膜层包括多层膜结构。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用步进曝光方式对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步进曝光方式无需使用光掩膜版，所述步进曝方式的光斑至少能够覆盖单个完整晶粒。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步进曝光方式的光斑面积小于单个曝光单元的面积。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步进曝光方式的光斑刚好完全覆盖单个完整晶粒。

9.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶层曝光，包括：

对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光，通过显影在所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层上形成第一图案；

对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光，通过显影去除所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

所述对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光先于所述对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

利用光掩膜版对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光；对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光无需使用光掩膜版。

12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

通过浸没式光刻机或极紫外光刻机对所述完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光；

通过I-line光刻机或KrF光刻机对所述非完整晶粒区的所述第一光刻胶层进行曝光。

13.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括：

通过刻蚀将所述完整晶粒区的所述第一图案转移到所述第一掩膜层以及去除所述非完整晶粒区的所述第一掩膜层。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，

在具有所述第一图案的所述第一掩膜层上形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光，通过显影在所述完整晶粒区的所述第二光刻胶层上形成第二图案以及去除所述非完整晶粒区的所述第二光刻胶层。

15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，

所述第一图案为沿第一方向延伸的线性图案；

所述第二图案为沿第二方向延伸的线性图案；

所述第一方向和所述第二方向不平行。