[发明专利]形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202010699374.2 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112750693A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 马丁·克里斯多福·霍兰德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
提供一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板之上的模板层中蚀刻沟槽，在沟槽的底表面之上形成种晶结构，在种晶结构之上形成介电帽，以及使用蒸汽液体固态磊晶生长制程在沟槽内生长单晶半导体结构。单晶半导体结构是自种晶结构与沟槽的底表面之间的液体‑固体界面生长。
技术领域
本揭露是关于使用形成半导体结构的方法。
背景技术
诸如晶体管、二极管、光电侦测器及光伏元件的诸多电子元件皆构建在半导体材料上。半导体材料的电子性质直接源于物理性质，包括半导体材料的晶体结构。单晶半导体材料表现出比多晶及非晶对应物高的载流子迁移率。随着元件尺寸不断缩放，单晶半导体材料(诸如，单晶锗及单晶硅)对于实现高元件效能至关重要。
发明内容
本揭露的实施例为一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板之上的模板层中蚀刻沟槽，在沟槽的底表面之上形成种晶结构，在种晶结构之上形成介电帽，以及使用蒸汽液体固态磊晶生长制程在沟槽内生长单晶半导体结构。单晶半导体结构是自种晶结构与沟槽的底表面之间的液体-固体界面生长。
附图说明
当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1为根据一些实施例的用于制造半导体元件的方法的流程图；
图2A至图2I为根据一些实施例的处于制造制程的各个阶段的半导体元件的横截面图；
图3为根据一些实施例的用于制造半导体元件的方法的流程图；
图4A至图4G为根据一些实施例的处于制造制程的各个阶段的半导体元件的横截面图；
图5为根据一些实施例的用于制造半导体元件的方法的流程图；
图6A至图6H为根据一些实施例的处于制造制程的各个阶段的半导体元件的横截面图；
图7为根据一些实施例的用于制造半导体元件的方法的流程图；
图8A至图8G为根据一些实施例的处于制造制程的各个阶段的半导体元件的横截面图。
【符号说明】
100:方法
102:操作
104:操作
106:操作
108:操作
110:操作
112:操作
114:操作
116:操作
200:半导体元件
202:基板
210:模板层
212:沟槽
214:底表面
216:缓冲层
216P:缓冲结构
220:种晶层
220P:种晶结构
230:介电帽层
230P:介电帽
242:半导体原子
244:半导体核
250:单晶半导体结构
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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