[发明专利]形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202010699374.2 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112750693A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 马丁·克里斯多福·霍兰德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包括：
在一基板之上的一模板层中蚀刻一沟槽；
在该沟槽的一底表面之上形成一种晶结构；
在该种晶结构之上形成一介电帽；以及
使用一蒸汽液体固态磊晶生长制程在该沟槽内生长一单晶半导体结构，其中该单晶半导体结构是自该种晶结构与该沟槽的该底表面之间的一液体-固体界面生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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