[发明专利]具有电气隔离的半导体芯片的半导体装置在审
| 申请号: | 202010591853.2 | 申请日: | 2020-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN112185946A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | R·M·沙勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 黄倩 |
| 地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 电气 隔离 半导体 芯片 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
芯片载体;
第一半导体芯片,被布置在所述芯片载体上,其中所述第一半导体芯片在所述半导体装置的运行期间处于第一电气电位域中;
第二半导体芯片,被布置在所述芯片载体上,其中所述第二半导体芯片在所述半导体装置的运行期间处于与所述第一电气电位域不同的第二电气电位域中;以及
电绝缘结构,被布置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间,所述电绝缘结构被设计为使所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片彼此电气隔离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构没有碱土金属成分。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构没有增塑剂和溶剂。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中:
所述第一电气电位域对应于第一接地电位,其中所述第一半导体芯片与所述第一接地电位连接;和/或
所述第二电气电位域对应于与所述第一接地电位不同的第二接地电位,其中所述第二半导体芯片与所述第二接地电位连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中:
所述第一电气电位域对应于所述第一半导体芯片的第一运行电压;并且
所述第二电气电位域对应于所述第二半导体芯片的与所述第一运行电压不同的第二运行电压。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,还包括:
芯片固定材料,被布置在所述第一半导体芯片与所述芯片载体之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构包括电介质。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述电介质包括以下材料中的至少一种材料:陶瓷、玻璃、聚酰亚胺胶带。
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构被实现为所述第一半导体芯片的表面涂层。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述第一半导体芯片的表面涂层包括以下材料中的至少一种材料:氧化硅、氮化硅、金属氧化物、聚合物、聚酰亚胺。
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构被实现为所述芯片载体的表面涂层。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述芯片载体的表面涂层包括以下材料中的至少一种材料:聚对二甲苯、金属氧化物。
13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构被实现为封装材料,其中所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片中的至少一个半导体芯片被所述封装材料封装。
14.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构是可布设模制型引线框架的一部分。
15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中所述电绝缘结构被布置在所述第一半导体芯片与所述芯片载体之间。
16.根据权利要求15所述的半导体装置,还包括:
另外的电绝缘结构,被布置在所述第二半导体芯片与所述芯片载体之间。
17.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其中:
所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片被布置在所述芯片载体的同一面上;并且
所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此堆叠。
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