[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括:

基板，有硅层在顶部；

元件结构，设置在所述基板上；以及

介电层，设置在基板上，且覆盖过元件结构，

其中所述介电层有第一空气间隙在所述元件结构上方，所述第一空气间隙是由构成所述介电层的一部分的介电质壁所围绕，并且所述介电质壁是设置在所述元件结构上，

其中所述介电层有第二空气间隙，暴露所述元件结构的顶部且相邻所述介电质壁。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括:

第一插塞，在所述介电层中位于所述元件结构的第一侧，以接触到所述硅层；

第二插塞，在所述介电层中位于所述元件结构的第二侧，以接触到所述硅层；以及

内联机结构层在所述介电层中，与所述第一插塞与第二插塞连接。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述介电层包括:

第一内层介电层，设置在所述基板上且围绕所述元件结构，提供所述介电质壁的第一部分，而该第一部分的底部构成第一空气间隙的底部的一部分，且所述介电质壁的所述底部的外侧是被所述第二空气间隙暴露；

第二内层介电层，设置在所述第一内层介电层上，提供所述介电质壁的第二部分，围绕所述第一空气间隙的中间部；以及

第三内层介电层，设置在所述第二内层介电层上，从所述第一空气间隙的顶端封闭所述第一空气间隙。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，还包括第一插塞与第二插塞，在所述第一内层介电层中，且接触到所述硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包括内联机结构层在第二内层介电层中，连接到所述第一插塞与所述第二插塞。

6.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第一空气间隙的所述上部沿伸进入到所述第三内层介电层。

7.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，

所述第一内层介电层包括第一衬层以及在所述第一衬层上的氧化层，

所述第二内层介电层包括:

第二衬层在所述第一内层介电层上；

第一低介电常数介电层，在所述第二衬层上；以及

第三衬层在所述第一低介电常数介电层上。

8.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述介电质壁的所述第二部分是较宽于所述介电质壁的所述第一部分，其中在所述介电质壁的所述第一部分与所述第二部分的交接处，在横截面上是似阶梯状结构。

9.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第一空气间隙，在与所述第二内层介电层邻近的范围包含外扩区域，侧向外扩到所述第二内层介电层中，或是所述第一空气间隙构成似十字状结构。

10.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第二空气间隙的外侧壁的形状，在横截面上是直线壁或是平滑外扩曲线壁。

11.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述介电质壁的所述第二部分是平滑连接到所述介电质壁的所述第一部分。

12.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述介电质壁的外侧壁在属于所述第一内层介电层与所述第二内层介电层的交接区域是平滑交接或似阶梯状交接。

13.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第三内层介电层是低介电常数介电层，以覆盖且封闭所述介电值层。

14.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第三内层介电层与所述介电质壁是来源于相同的物质。